Infineon MOSFET, タイプPチャンネル, -100 V, 680 mA, 1800 mΩ, 80 nC, 3ピン, パッケージ：SOT-223
- RS品番:
- 250-0536
- Distrelec 品番:
- 304-40-496
- メーカー型番:
- BSP316PH6327XTSA1
- メーカー/ブランド名:
- インフィニオン
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- RS品番:
- 250-0536
- Distrelec 品番:
- 304-40-496
- メーカー型番:
- BSP316PH6327XTSA1
- メーカー/ブランド名:
- インフィニオン
仕様
データシート
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詳細情報
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すべて選択 | 製品情報 | 内容 |
|---|---|---|
| ブランド | インフィニオン | |
| プロダクトタイプ | MOSFET | |
| チャンネルタイプ | タイプP | |
| 最大連続ドレイン電流Id | 680mA | |
| 最大ドレイン-ソース間電圧Vds | -100V | |
| パッケージ型式 | SOT-223 | |
| シリーズ | BSP | |
| 取付タイプ | 表面 | |
| ピン数 | 3 | |
| 最大ドレイン-ソース間抵抗Rds | 1800mΩ | |
| チャンネルモード | エンハンスメント型 | |
| 標準ゲートチャージ Qg @ Vgs | 80nC | |
| 順方向電圧 Vf | 1V | |
| 最大ゲートソース電圧Vgs | 20V | |
| 動作温度 Min | -55°C | |
| 最大許容損失Pd | 81W | |
| 動作温度 Max | +150°C | |
| 規格 / 承認 | RoHS | |
| 自動車規格 | AEC-Q101 | |
| すべて選択 | ||
|---|---|---|
ブランド インフィニオン | ||
プロダクトタイプ MOSFET | ||
チャンネルタイプ タイプP | ||
最大連続ドレイン電流Id 680mA | ||
最大ドレイン-ソース間電圧Vds -100V | ||
パッケージ型式 SOT-223 | ||
シリーズ BSP | ||
取付タイプ 表面 | ||
ピン数 3 | ||
最大ドレイン-ソース間抵抗Rds 1800mΩ | ||
チャンネルモード エンハンスメント型 | ||
標準ゲートチャージ Qg @ Vgs 80nC | ||
順方向電圧 Vf 1V | ||
最大ゲートソース電圧Vgs 20V | ||
動作温度 Min -55°C | ||
最大許容損失Pd 81W | ||
動作温度 Max +150°C | ||
規格 / 承認 RoHS | ||
自動車規格 AEC-Q101 | ||
Infineon BSPシリーズMOSFET、最大ドレイン‐ソース電圧100V、最大動作温度+150°C - BSP316PH6327XTSA1
このPチャンネルMOSFETは、過酷な温度環境での電源スイッチング用に設計された表面実装型トランジスタです。広い熱範囲で動作し、中程度の連続電流容量で制御されたドレイン・ソース伝導を必要とする用途向けに設計されています。このコンポーネントは、規格に準拠する必要がある用途向けの自動車用スクリーニングおよび環境制限に適合しています。
特長および利点：
• 1800mΩ Rds(on)により、導通損失を低減し、熱設計を簡素化
• 0.68Aの連続ドレイン電流により、低～中程度の負荷スイッチングをサポート
• 80nCの標準ゲート充電により、低ドライブエネルギーでより高速なゲートトランジションを実現
• 81Wの消費電力により、限られたパッケージで持続的なエネルギー処理が可能
• 最高動作温度+150°Cにより、高温アセンブリでの使用が可能
• 0.68Aの連続ドレイン電流により、低～中程度の負荷スイッチングをサポート
• 80nCの標準ゲート充電により、低ドライブエネルギーでより高速なゲートトランジションを実現
• 81Wの消費電力により、限られたパッケージで持続的なエネルギー処理が可能
• 最高動作温度+150°Cにより、高温アセンブリでの使用が可能
用途
• 自動車サブシステムの電力管理に最適
• 表面実装レギュレータおよび負荷スイッチ回路に最適
• バッテリ管理および低電流スイッチングモジュールと併用
• コンパクトボードの耐熱性電源パス制御に使用可能
• RoHS準拠のPチャンネルコンポーネントを必要とする設計に最適
• 表面実装レギュレータおよび負荷スイッチ回路に最適
• バッテリ管理および低電流スイッチングモジュールと併用
• コンパクトボードの耐熱性電源パス制御に使用可能
• RoHS準拠のPチャンネルコンポーネントを必要とする設計に最適
動作中にどのようなゲート電圧制限を遵守する必要がありますか?
このデバイスは、ゲートとソース間で最大20 Vの電圧に対応し、その値を超えてはなりません。
プリント基板への実装には、どのようなパッケージと実装方式を使用しますか？
表面実装用のSOT‐223パッケージで提供され、熱結合を支援します。
持続的な放散には、どのような電熱動作が適用されますか?
この部品は、指定された条件下で最大81Wの消費電力を発揮する定格ですが、適切な基板熱管理が必要です。
このデバイスは自動車環境に適合していますか?
自動車グレードの半導体スクリーニングに関するAEC‐Q101規格に準拠しています。
どのような環境制限規格に適合していますか?
このコンポーネントはRoHS準拠で、鉛フリーおよび制限物質要件を満たしています。
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