Infineon MOSFET, タイプNチャンネル 100 V, 0.68 A エンハンスメント型, 表面, 3-Pin パッケージSOT-223, BSP316PH6327XTSA1

MOSFET・モスフェット の一覧へ
ボリュームディスカウント対象商品

1 袋(1袋5個入り) 小計：*

￥580.00

(税抜)

￥638.00

(税込)

Add to Basket
数量を選択または入力
在庫あり
  • 1,930 は 2025年12月29日 に入荷予定
「配達日を確認」をクリックすると、在庫と配送の詳細が表示されます。
個
単価
購入単位毎合計*
5 - 45￥116.00￥580
50 - 470￥101.60￥508
475 - 595￥87.40￥437
600 - 795￥72.60￥363
800 +￥57.80￥289

* 表示は参考価格です。ご購入数量によって価格は変動します。なお、上記数量を大きく超える大量ご購入の際は右下チャットからお問合せください。

梱包形態
RS品番:
250-0536
メーカー型番:
BSP316PH6327XTSA1
メーカー/ブランド名:
インフィニオン
製品情報（複数選択可）を選択して、類似製品を検索します。
すべて選択

ブランド

インフィニオン

プロダクトタイプ

MOSFET

チャンネルタイプ

タイプN

最大連続ドレイン電流Id

0.68A

最大ドレイン-ソース間電圧Vds

100V

シリーズ

BSP

パッケージ型式

SOT-223

取付タイプ

表面

ピン数

3

最大ドレイン-ソース間抵抗Rds

1.4mΩ

チャンネルモード

エンハンスメント型

標準ゲートチャージ Qg @ Vgs

80nC

最大許容損失Pd

81W

動作温度 Min

-55°C

最大ゲートソース電圧Vgs

20 V

順方向電圧 Vf

1V

動作温度 Max

175°C

規格 / 承認

RoHS

自動車規格

AEC-Q101

Distrelec Product Id

304-40-496

Infineonは、このSIPMOS小信号トランジスタPチャンネル拡張モードのmosfetを製造しています。このデバイスは、dv/dt 定格、P チャンネル、拡張モードトランジスタとして、高スイッチングアプリケーションで広く使用されています。アバランシェ等級で、ハロゲンフリーです。

Vds: 100 V、RDS(on): 1.8 Ω、ID: 0.68 A

、最大消費電力: 360 mW

関連ページ