onsemi MOSFET, タイプNチャンネル, 1200 V, 58 A, 22 mΩ, 148 nC, 7ピン, パッケージ：TO-263
- RS品番:
- 254-7660
- メーカー型番:
- NTBG022N120M3S
- メーカー/ブランド名:
- onsemi
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- RS品番:
- 254-7660
- メーカー型番:
- NTBG022N120M3S
- メーカー/ブランド名:
- onsemi
仕様
データシート
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詳細情報
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すべて選択 | 製品情報 | 内容 |
|---|---|---|
| ブランド | onsemi | |
| チャンネルタイプ | タイプN | |
| プロダクトタイプ | MOSFET | |
| 最大連続ドレイン電流Id | 58A | |
| 最大ドレイン-ソース間電圧Vds | 1200V | |
| パッケージ型式 | TO-263 | |
| シリーズ | NTB | |
| 取付タイプ | スルーホール | |
| ピン数 | 7 | |
| 最大ドレイン-ソース間抵抗Rds | 22mΩ | |
| チャンネルモード | エンハンスメント型 | |
| 動作温度 Min | -55°C | |
| 最大ゲートソース電圧Vgs | 22V | |
| 順方向電圧 Vf | 4.5V | |
| 最大許容損失Pd | 117W | |
| 標準ゲートチャージ Qg @ Vgs | 148nC | |
| 動作温度 Max | 175°C | |
| 規格 / 承認 | No | |
| 自動車規格 | AEC-Q101 | |
| すべて選択 | ||
|---|---|---|
ブランド onsemi | ||
チャンネルタイプ タイプN | ||
プロダクトタイプ MOSFET | ||
最大連続ドレイン電流Id 58A | ||
最大ドレイン-ソース間電圧Vds 1200V | ||
パッケージ型式 TO-263 | ||
シリーズ NTB | ||
取付タイプ スルーホール | ||
ピン数 7 | ||
最大ドレイン-ソース間抵抗Rds 22mΩ | ||
チャンネルモード エンハンスメント型 | ||
動作温度 Min -55°C | ||
最大ゲートソース電圧Vgs 22V | ||
順方向電圧 Vf 4.5V | ||
最大許容損失Pd 117W | ||
標準ゲートチャージ Qg @ Vgs 148nC | ||
動作温度 Max 175°C | ||
規格 / 承認 No | ||
自動車規格 AEC-Q101 | ||
シリコンカーバイド(SiC) MOSFET - EliteSiC、22モーム、1200 V、M3S、D2PAK-7L
ON Semiconductor NTBシリーズの平面シックモスフェットは、高速スイッチング用途向けに最適化されています。平面テクノロジーは、負のゲート電圧ドライブとゲート上のスパイクをオフにすることで信頼性が高く動作します。このファミリは、18 Vゲートドライブで駆動するときに最適な性能を発揮しますが、15 Vゲートドライブでも優れた性能を発揮します。
100 %バランステスト済み、パワー密度向上ゲートドライブ電圧: 15 → 18 V
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