Vishay パワーMOSFET, Nチャンネル, 200 V, 5.9 A, 0.4 Ω, 43 nC, 3ピン, パッケージ:JEDEC TO-220AB

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梱包形態
RS品番:
256-7275
メーカー型番:
IRF630PBF
メーカー/ブランド名:
Vishay
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ブランド

Vishay

プロダクトタイプ

パワーMOSFET

チャンネルタイプ

N

最大連続ドレイン電流Id

5.9A

最大ドレイン-ソース間電圧Vds

200V

パッケージ型式

JEDEC TO-220AB

シリーズ

IRF630

取付タイプ

スルーホール

ピン数

3

最大ドレイン-ソース間抵抗Rds

0.4Ω

動作温度 Min

-55°C

最大許容損失Pd

74W

標準ゲートチャージ Qg @ Vgs

43nC

最大ゲートソース電圧Vgs

10V

順方向電圧 Vf

2V

動作温度 Max

+150°C

高さ

4.65mm

規格 / 承認

RoHS

自動車規格

なし

Vishay IRF630シリーズパワーMOSFET、最大ドレインソース電圧200 V、最大連続ドレイン電流5.9 A - IRF630PBF


このパワーMOSFETは、高電圧電源用途向けに設計された半導体スイッチで、スルーホール実装用のNチャネル構成で制御された伝導を実現します。幅広い周囲温度範囲で堅牢な電圧ブロッキングとスイッチング機能を必要とする回路向けに設計されています。

特長:


• 200V ドレイン・ソース定格により、高電圧スイッチングが可能
• 5.9Aの連続ドレイン電流により、中程度の負荷電流に対応
• 0.4Ω Rds(on)により、スイッチング時の導通損失を低減
• 74 Wの消費電力により、大幅な熱処理が可能
• 43 nC標準ゲート充電により、予測可能なスイッチング動作を実現
• 10Vゲートリミットにより、一般的なゲートドライブレベルとの互換性を確保

用途


• オフラインコンバーターの電源スイッチングに最適
• アンプ出力ステージの切り替え作業に最適
• コンパクトなアセンブリでモータ制御ドライバーと併用
• TO‐220設計のトランジスタ交換作業に使用可能
• スルーホールアセンブリを備えた産業用電源に最適

動作時の許容温度範囲はどのくらいですか?


-55°C~+150°Cで確実に動作し、過酷な熱環境にも対応します。

このデバイスは、プリント基板またはヒートシンクにどのように取り付けられますか?


このコンポーネントは、はんだボード保持用の3つのスルーホールピンとタブ経由でヒートシンクを取り付けるためのTO‐220ABパッケージを採用しています。

チャンネルの極性と標準的な順方向電圧は何ですか?


このデバイスはN‐タイプチャンネルを採用し、伝導条件下で約2Vの順方向電圧を発揮します。

自動車認証に適していますか?


自動車規格に準拠した認証はありませんが、これらの認証を必要としない非自動車用電子機器で使用できます。

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