Vishay MOSFET, Nチャンネル, -60 V, -2.4 A, 0.15 Ω, 14.5 nC, 8ピン, パッケージ：SOIC

RS品番:: 256-7362
メーカー型番:: SI4948BEY-T1-E3
メーカー/ブランド名:: Vishay

Vishay MOSFET, Nチャンネル, -60 V, -2.4 A, 0.15 Ω, 14.5 nC, 8ピン, パッケージ：SOIC

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RS品番:: 256-7362
メーカー型番:: SI4948BEY-T1-E3
メーカー/ブランド名:: Vishay

データシート

製品情報（複数選択可）を選択して、類似製品を検索します。

すべて選択	製品情報	内容
	ブランド	Vishay
	チャンネルタイプ	N
	プロダクトタイプ	MOSFET
	最大連続ドレイン電流Id	-2.4A
	最大ドレイン-ソース間電圧Vds	-60V
	シリーズ	Si4948BEY
	パッケージ型式	SOIC
	取付タイプ	表面
	ピン数	8
	最大ドレイン-ソース間抵抗Rds	0.15Ω
	最大ゲートソース電圧Vgs	20V
	動作温度 Min	-55°C
	標準ゲートチャージ Qg @ Vgs	14.5nC
	最大許容損失Pd	1.4W
	順方向電圧 Vf	-1.2V
	動作温度 Max	175°C
	規格 / 承認	RoHS 2002/95/EC, IEC 61249-2-21
	高さ	1.75mm
	自動車規格	なし

	すべて選択
	ブランド Vishay
	チャンネルタイプ N
	プロダクトタイプ MOSFET
	最大連続ドレイン電流Id -2.4A
	最大ドレイン-ソース間電圧Vds -60V
	シリーズ Si4948BEY
	パッケージ型式 SOIC
	取付タイプ表面
	ピン数 8
	最大ドレイン-ソース間抵抗Rds 0.15Ω
	最大ゲートソース電圧Vgs 20V
	動作温度 Min -55°C
	標準ゲートチャージ Qg @ Vgs 14.5nC
	最大許容損失Pd 1.4W
	順方向電圧 Vf -1.2V
	動作温度 Max 175°C
	規格 / 承認 RoHS 2002/95/EC, IEC 61249-2-21
	高さ 1.75mm
	自動車規格なし

Datasheet - SI4948BEY-T1-E3

Vishay Si4948BEYシリーズMOSFET、最大ドレインソース電圧60V、最大連続ドレイン電流2.4A - SI4948BEY-T1-E3

このPチャンネルMOSFETは、コンパクトな電子アセンブリのスイッチングおよびアナログ機能向けに設計された表面実装型トランジスタです。回路基板に直接取り付けられる半導体パッケージ内で、適度な電流処理と電圧ブロッキングを必要とする用途向けに設計されています。このデバイスは幅広い温度範囲で動作し、一般的な電子材料規格に準拠しているため、過酷な熱環境での使用に適しています。

特長：

• 0.15Ωの低オン抵抗により、導通損失を低減
• 中電圧スイッチング用60Vブロッキング機能
• 連続ドレイン電流2.4Aで持続的な負荷処理を実現
• ゲートドライブ許容差20Vにより、柔軟な制御電圧を実現
• 標準ゲート電荷14.5nCで予測可能なスイッチング動作を実現
• 消費電力 1.4W で中程度の熱負荷に対応

用途

• 家電製品のパワーレール負荷スイッチングに最適
• 逆極性またはハイサイドスイッチの実装に最適
• スペースが限られた基板でコンパクトなDC-DCコンバータと併用
• バッテリ保護およびエネルギー管理回路に使用可能
• 産業用モジュールの信号レベル電力制御に最適

プリント基板にはどのようなパッケージとピン数を設定する必要がありますか?

このコンポーネントは、表面実装用の8ピンSOICパッケージに収められているため、フットプリント設計は、信頼性の高いはんだ接合を実現するために標準的な8ピンSOICランドパターンに適合する必要があります。

幅広い温度条件でどのように動作しますか？

定格動作温度は-55°C～175°Cで、高いジャンクション温度またはコールドスタート状態を経験するアセンブリで使用できます。

どのような順方向電圧特性が回路マージン計算に関連していますか?

このデバイスは、導通経路に関連する条件下で-1.2Vの順方向電圧を示し、電力経路の電圧降下を推定する際に使用できます。

調達に適用される材料又は環境基準はありますか?

この部品はRoHS 2002/95/ECに準拠し、関連する材質および構成に関するIEC 61249-2-21のガイドラインに準拠しています。