Vishay MOSFET, タイプPチャンネル -60 V, -2.4 A, 表面, 8-Pin パッケージSOIC, SI4948BEY-T1-E3

ボリュームディスカウント対象商品
一括購入価格オプションを表示

1 袋(1袋5個入り) 小計:*

¥1,339.00

(税抜)

¥1,472.90

(税込)

Add to Basket
数量を選択または入力
在庫あり
  • 1,100 2026年6月22日 に入荷予定
「配達日を確認」をクリックすると、在庫と配送の詳細が表示されます。

単価
購入単位毎合計*
5 - 120¥267.80¥1,339
125 - 1195¥233.60¥1,168
1200 - 1595¥201.40¥1,007
1600 - 1995¥167.80¥839
2000 +¥133.60¥668

* 表示は参考価格です。ご購入数量によって価格は変動します。なお、上記数量を大きく超える大量ご購入の際は右下チャットからお問合せください。

梱包形態
RS品番:
256-7363
メーカー型番:
SI4948BEY-T1-E3
メーカー/ブランド名:
Vishay
製品情報(複数選択可)を選択して、類似製品を検索します。
すべて選択

ブランド

Vishay

プロダクトタイプ

MOSFET

チャンネルタイプ

タイプP

最大連続ドレイン電流Id

-2.4A

最大ドレイン-ソース間電圧Vds

-60V

シリーズ

Si4948BEY

パッケージ型式

SOIC

取付タイプ

表面

ピン数

8

最大ドレイン-ソース間抵抗Rds

0.15Ω

順方向電圧 Vf

-1.2V

最大ゲートソース電圧Vgs

20V

標準ゲートチャージ Qg @ Vgs

14.5nC

動作温度 Min

-55°C

最大許容損失Pd

1.4W

動作温度 Max

175°C

規格 / 承認

RoHS 2002/95/EC, IEC 61249-2-21

高さ

1.75mm

自動車規格

なし

Vishay Si4948BEYシリーズMOSFET、-60 Vドレインソース電圧、-2.4 A連続ドレイン電流 - SI4948BEY-T1-E3


このMOSFETは、電子システムのスイッチングおよび電力制御作業用に設計されたPチャンネル表面実装トランジスタです。幅広い温度範囲で動作し、SOICパッケージと適度な電力処理が必要なコンパクトボードで使用するように設計されています。このデバイスは、回路レベルの設計に特定のゲート電荷と熱制限を備えたPチャンネルオプションを必要とするエンジニアに適しています。

特長:


• ハイサイドスイッチングのためのマイナスドレイン‐ソース電圧をサポートするP‐チャンネルデバイス • 定格ドレイン‐ソース電圧: -60 Vで、高電圧用途を実現 • 最大連続ドレイン電流: -2.4 A、適度な負荷処理が可能 • 0.15Ωの低オン抵抗により、導通損失を低減 • 標準ゲート電荷14.5 nCで予測可能なスイッチング動作を実現 • 限られたレイアウトでの放電1. 4 Wで熱予算を管理

用途


• モータ制御モジュールのハイサイドスイッチに最適 • 電源管理回路の負荷遮断に最適 • 供給レールの逆極性保護に使用 • バッテリ管理および充電制御に使用可能 • コンパクトなPチャンネルトランジスタを必要とするSMDアセンブリに最適

設計中にどのようなゲート電圧制限を遵守する必要がありますか?


ゲート‐ソース電圧は、ゲート酸化ストレスを防止し、信頼性の高い動作を確保するために、±20 Vを超えてはなりません。

このデバイスは高温でどのように動作しますか?


最大175 °Cまで動作するように指定されているため、設計者は温度上昇に伴う電流と電力のディレーティングを考慮する必要があります。

基板レイアウトを考慮するために、どのようなパッケージとピン数を用意していますか?


このコンポーネントは、標準SMDフットプリント設計に適した8ピンのSOIC‐8パッケージで提供されます。

材料およびプロセスの受容性に関する基準は?


このコンポーネントはRoHS 2002/95/ECに準拠し、IEC 61249‐2‐21の材質仕様に準拠しています。

どのような順方向電圧またはボディダイオード特性が表示されますか?


本質ダイオード伝導動作には、-1.2 Vの順方向電圧が指定されています。

関連ページ

お得な情報をいち早く受け取ろう

Emailアドレス

お客様の個人情報は、当社のプライバシーポリシーに従って慎重に取り扱いを行います。