Infineon MOSFET, Nチャンネル, 40 V, 50 A, 7.30 mΩ, パッケージ:TO-252

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梱包形態
RS品番:
259-1554
メーカー型番:
IPD50N04S4L08ATMA1
メーカー/ブランド名:
インフィニオン
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ブランド

インフィニオン

チャンネルタイプ

N

プロダクトタイプ

MOSFET

最大連続ドレイン電流Id

50A

最大ドレイン-ソース間電圧Vds

40V

パッケージ型式

TO-252

シリーズ

IPD

取付タイプ

表面

最大ドレイン-ソース間抵抗Rds

7.30mΩ

チャンネルモード

N

動作温度 Min

-55°C

動作温度 Max

+175°C

規格 / 承認

RoHS

自動車規格

なし

Infineon IPDシリーズMOSFET、40 Vドレイン-ソース電圧、50 A連続ドレイン電流 - IPD50N04S4L08ATMA1


このMOSFETは、パワースイッチングおよび高電流用途向けに設計された表面実装Nチャンネルトランジスタです。幅広い温度範囲で動作し、RoHS要件に適合しているため、制限物質適合とコンパクトな表面実装が重要な用途に適しています。

特長および利点:


• 7.3mΩ Rds(on)により、低い導通損失を実現
• 40V Vdsで中電圧電源スイッチングを実現
• 50A Idにより、大きな連続電流容量を実現
• コンパクトなSMDアセンブリをサポートするTO-252パッケージ
• -55°C~175°C定格により、幅広い熱動作を実現

用途


• 高電流モータードライバーと併用
• バッテリ管理および電源レールに最適
• DC-DCコンバータの出力段に最適
• 過酷な環境での負荷スイッチングに使用可能
• コンパクトな電子機器の配電に使用

どのような実装方式を採用していますか?


表面実装用に構成されたTO-252パッケージで提供されます。

このデバイスは車載用途の認定要件に適合していますか?


このコンポーネントは、自動車規格に適合することは指定されていません。

危険物質に関して、どのような規制コンプライアンスに適合していますか?


RoHS制限物質要件に適合しています。

どのようなチャンネルタイプと極性がありますか?


このトランジスタは、Nチャンネル極性を備えたNチャンネルデバイスです。

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