Infineon MOSFET, Nチャンネル, 25 V, 310 A, 0.75 mΩ, 24ピン, パッケージ：TSDSO
- RS品番:
- 260-1072
- メーカー型番:
- IQE006NE2LM5CGSCATMA1
- メーカー/ブランド名:
- インフィニオン
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- RS品番:
- 260-1072
- メーカー型番:
- IQE006NE2LM5CGSCATMA1
- メーカー/ブランド名:
- インフィニオン
仕様
データシート
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すべて選択 | 製品情報 | 内容 |
|---|---|---|
| ブランド | インフィニオン | |
| チャンネルタイプ | N | |
| プロダクトタイプ | MOSFET | |
| 最大連続ドレイン電流Id | 310A | |
| 最大ドレイン-ソース間電圧Vds | 25V | |
| シリーズ | IQE | |
| パッケージ型式 | TSDSO | |
| 取付タイプ | 表面 | |
| ピン数 | 24 | |
| 最大ドレイン-ソース間抵抗Rds | 0.75mΩ | |
| チャンネルモード | エンハンスメント型 | |
| 動作温度 Min | -55°C | |
| 順方向電圧 Vf | 1V | |
| 動作温度 Max | +150°C | |
| 規格 / 承認 | RoHS | |
| 自動車規格 | なし | |
| すべて選択 | ||
|---|---|---|
ブランド インフィニオン | ||
チャンネルタイプ N | ||
プロダクトタイプ MOSFET | ||
最大連続ドレイン電流Id 310A | ||
最大ドレイン-ソース間電圧Vds 25V | ||
シリーズ IQE | ||
パッケージ型式 TSDSO | ||
取付タイプ 表面 | ||
ピン数 24 | ||
最大ドレイン-ソース間抵抗Rds 0.75mΩ | ||
チャンネルモード エンハンスメント型 | ||
動作温度 Min -55°C | ||
順方向電圧 Vf 1V | ||
動作温度 Max +150°C | ||
規格 / 承認 RoHS | ||
自動車規格 なし | ||
Infineon IQEシリーズMOSFET、最大ドレイン-ソース電圧25V、最大連続ドレイン電流310A - IQE006NE2LM5CGSCATMA1
このMOSFETは、表面実装Nチャンネル強化トランジスタで、過酷な環境での電源スイッチング向けに設計されています。幅広い温度範囲で動作し、RoHS規制に適合しながら、高い連続電流と低い伝導損失を必要とする用途に適しています。このデバイスは、24ピンTSDSOパッケージを採用し、コンパクトな基板レベルの統合向けに設計されています。
特長および利点：
• 0.75mΩ Rds(on)により、高電流動作時の導通損失を低減
• 1V順方向電圧により、導通経路での電力損失を低減
• 310Aの連続ドレイン電流により、高負荷スイッチングの要求をサポート
• -55°C～150°Cの動作範囲により、極端な温度環境でも使用可能
• 24ピン表面実装により、高密度プリント基板の組み立てが容易
• 1V順方向電圧により、導通経路での電力損失を低減
• 310Aの連続ドレイン電流により、高負荷スイッチングの要求をサポート
• -55°C～150°Cの動作範囲により、極端な温度環境でも使用可能
• 24ピン表面実装により、高密度プリント基板の組み立てが容易
用途
• 高電流DC‐DCコンバータステージに最適
• 産業用電子機器の配電に最適
• 低損失を必要とするモーター駆動パワーステージに使用
• ソリッドステート電源スイッチングモジュールに使用可能
• コンパクトで高出力の表面実装設計に最適
• 産業用電子機器の配電に最適
• 低損失を必要とするモーター駆動パワーステージに使用
• ソリッドステート電源スイッチングモジュールに使用可能
• コンパクトで高出力の表面実装設計に最適
プリント基板実装にはどのようなパッケージを使用しますか?
表面実装アセンブリ用に構成されたTSDSOパッケージで提供されます。
チャンネルタイプはスイッチング動作にどのように影響しますか?
Nチャンネルエンハンスメントモードにより、低オン抵抗と効率的な伝導を実現します。
使用可能な温度を定義する環境制限は?
-55°C～+150°Cの幅広い温度条件で動作します。
材料に関するどのような規制制限が遵守されていますか?
このコンポーネントはRoHSに準拠しており、特定の有害物質を制限します。
どのようなドレイン・ソース電圧を超えてはいけないのですか?
最大許容ドレイン・ソース電圧は25Vです。
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