Infineon MOSFET, Nチャンネル, 75 V, 6.1 A, 3 mΩ, 80 nC, 3ピン, パッケージ:SOT-223
- RS品番:
- 244-2263
- メーカー型番:
- IPN50R2K0CEATMA1
- メーカー/ブランド名:
- インフィニオン
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- RS品番:
- 244-2263
- メーカー型番:
- IPN50R2K0CEATMA1
- メーカー/ブランド名:
- インフィニオン
仕様
データシート
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すべて選択 | 製品情報 | 内容 |
|---|---|---|
| ブランド | インフィニオン | |
| チャンネルタイプ | N | |
| プロダクトタイプ | MOSFET | |
| 最大連続ドレイン電流Id | 6.1A | |
| 最大ドレイン-ソース間電圧Vds | 75V | |
| シリーズ | IPN | |
| パッケージ型式 | SOT-223 | |
| 取付タイプ | 表面 | |
| ピン数 | 3 | |
| 最大ドレイン-ソース間抵抗Rds | 3mΩ | |
| 動作温度 Min | -55°C | |
| 順方向電圧 Vf | 1.3V | |
| 最大許容損失Pd | 81W | |
| 標準ゲートチャージ Qg @ Vgs | 80nC | |
| 最大ゲートソース電圧Vgs | 20V | |
| 動作温度 Max | 175°C | |
| 規格 / 承認 | RoHS | |
| 自動車規格 | AEC-Q101 | |
| すべて選択 | ||
|---|---|---|
ブランド インフィニオン | ||
チャンネルタイプ N | ||
プロダクトタイプ MOSFET | ||
最大連続ドレイン電流Id 6.1A | ||
最大ドレイン-ソース間電圧Vds 75V | ||
シリーズ IPN | ||
パッケージ型式 SOT-223 | ||
取付タイプ 表面 | ||
ピン数 3 | ||
最大ドレイン-ソース間抵抗Rds 3mΩ | ||
動作温度 Min -55°C | ||
順方向電圧 Vf 1.3V | ||
最大許容損失Pd 81W | ||
標準ゲートチャージ Qg @ Vgs 80nC | ||
最大ゲートソース電圧Vgs 20V | ||
動作温度 Max 175°C | ||
規格 / 承認 RoHS | ||
自動車規格 AEC-Q101 | ||
InfineonのCoolMOSTM CEパワーMOSFETは、お客様の要求を満たすためにスーパージャンクション原理(SJ)に従って設計された高耐圧パワーMOSFETです。
非常に低いFOM RDS(on) x QgおよびEoss.により、非常に低い損失を実現
優れた整流耐性
取り扱い/駆動が簡単
鉛未使用めっき、ハロゲン未使用成形コンパウンド
標準グレードの用途に適合
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