Infineon MOSFET, タイプNチャンネル 75 V, 6.1 A, 表面, 3-Pin パッケージSOT-223, IPN50R2K0CEATMA1

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梱包形態
RS品番:
244-2263
メーカー型番:
IPN50R2K0CEATMA1
メーカー/ブランド名:
インフィニオン
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ブランド

インフィニオン

チャンネルタイプ

タイプN

プロダクトタイプ

MOSFET

最大連続ドレイン電流Id

6.1A

最大ドレイン-ソース間電圧Vds

75V

パッケージ型式

SOT-223

シリーズ

IPN

取付タイプ

表面

ピン数

3

最大ドレイン-ソース間抵抗Rds

3mΩ

動作温度 Min

-55°C

順方向電圧 Vf

1.3V

最大ゲートソース電圧Vgs

20 V

最大許容損失Pd

81W

標準ゲートチャージ Qg @ Vgs

80nC

動作温度 Max

175°C

規格 / 承認

RoHS

自動車規格

AEC-Q101

InfineonのCoolMOSTM CEパワーMOSFETは、お客様の要求を満たすためにスーパージャンクション原理（SJ）に従って設計された高耐圧パワーMOSFETです。

非常に低いFOM RDS(on) x QgおよびEoss.により、非常に低い損失を実現

優れた整流耐性

取り扱い/駆動が簡単

鉛未使用めっき、ハロゲン未使用成形コンパウンド

標準グレードの用途に適合

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