Infineon MOSFET, Nチャンネル, 550 V, 6.6 A, 950 mΩ, 10.5 nC, 4ピン, パッケージ：SOT-223
- RS品番:
- 168-5927
- メーカー型番:
- IPN50R950CEATMA1
- メーカー/ブランド名:
- インフィニオン
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- RS品番:
- 168-5927
- メーカー型番:
- IPN50R950CEATMA1
- メーカー/ブランド名:
- インフィニオン
仕様
データシート
その他
詳細情報
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すべて選択 | 製品情報 | 内容 |
|---|---|---|
| ブランド | インフィニオン | |
| プロダクトタイプ | MOSFET | |
| チャンネルタイプ | N | |
| 最大連続ドレイン電流Id | 6.6A | |
| 最大ドレイン-ソース間電圧Vds | 550V | |
| シリーズ | CoolMOS CE | |
| パッケージ型式 | SOT-223 | |
| 取付タイプ | 表面 | |
| ピン数 | 4 | |
| 最大ドレイン-ソース間抵抗Rds | 950mΩ | |
| チャンネルモード | エンハンスメント型 | |
| 最大許容損失Pd | 5W | |
| 動作温度 Min | -40°C | |
| 最大ゲートソース電圧Vgs | 30V | |
| 順方向電圧 Vf | 0.83V | |
| 標準ゲートチャージ Qg @ Vgs | 10.5nC | |
| 動作温度 Max | 150°C | |
| 規格 / 承認 | No | |
| 幅 | 3.7mm | |
| 高さ | 1.7mm | |
| 長さ | 6.7mm | |
| 自動車規格 | なし | |
| すべて選択 | ||
|---|---|---|
ブランド インフィニオン | ||
プロダクトタイプ MOSFET | ||
チャンネルタイプ N | ||
最大連続ドレイン電流Id 6.6A | ||
最大ドレイン-ソース間電圧Vds 550V | ||
シリーズ CoolMOS CE | ||
パッケージ型式 SOT-223 | ||
取付タイプ 表面 | ||
ピン数 4 | ||
最大ドレイン-ソース間抵抗Rds 950mΩ | ||
チャンネルモード エンハンスメント型 | ||
最大許容損失Pd 5W | ||
動作温度 Min -40°C | ||
最大ゲートソース電圧Vgs 30V | ||
順方向電圧 Vf 0.83V | ||
標準ゲートチャージ Qg @ Vgs 10.5nC | ||
動作温度 Max 150°C | ||
規格 / 承認 No | ||
幅 3.7mm | ||
高さ 1.7mm | ||
長さ 6.7mm | ||
自動車規格 なし | ||
- COO（原産国）:
- CN
Infineon CoolMOS™ CEパワーMOSFET
MOSFETトランジスタ、Infineon
Infineonでは、CoolMOS、OptiMOS、StrongIRFETの各ファミリをはじめ、MOSFETデバイスの幅広く包括的な製品ラインを取り揃えています。効率、電力密度、及びコスト効果を高めるためにクラス最高の性能を実現しています。高い品質と強化された保護機能が求められる設計では、AEC-Q101車載用規格に適合するMOSFETが活用されます。
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