Infineon MOSFET, タイプNチャンネル 550 V, 9 A エンハンスメント型, 表面, 4-Pin パッケージSOT-223, IPN50R650CEATMA1

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130-0914
メーカー型番:
IPN50R650CEATMA1
メーカー/ブランド名:
インフィニオン
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ブランド

インフィニオン

チャンネルタイプ

タイプN

プロダクトタイプ

MOSFET

最大連続ドレイン電流Id

9A

最大ドレイン-ソース間電圧Vds

550V

パッケージ型式

SOT-223

シリーズ

CoolMOS CE

取付タイプ

表面

ピン数

4

最大ドレイン-ソース間抵抗Rds

650mΩ

チャンネルモード

エンハンスメント型

動作温度 Min

-40°C

最大許容損失Pd

5W

標準ゲートチャージ Qg @ Vgs

15nC

順方向電圧 Vf

0.83V

最大ゲートソース電圧Vgs

30 V

動作温度 Max

150°C

長さ

6.7mm

幅

3.7 mm

高さ

1.7mm

規格 / 承認

No

自動車規格

なし

Infineon CoolMOS™ CEパワーMOSFET


MOSFETトランジスタ、Infineon


Infineonでは、CoolMOS、OptiMOS、StrongIRFETの各ファミリをはじめ、MOSFETデバイスの幅広く包括的な製品ラインを取り揃えています。効率、電力密度、及びコスト効果を高めるためにクラス最高の性能を実現しています。高い品質と強化された保護機能が求められる設計では、AEC-Q101車載用規格に適合するMOSFETが活用されます。

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