Infineon MOSFET, 7.6 A, 表面, 3-Pin パッケージPG-SOT223, IPN50R800CEATMA1
- RS品番:
- 260-5153
- メーカー型番:
- IPN50R800CEATMA1
- メーカー/ブランド名:
- インフィニオン
ボリュームディスカウント対象商品
1 袋(1袋10個入り) 小計:*
¥960.00
(税抜)
¥1,056.00
(税込)
3,000円を超える注文については、送料無料
在庫あり
- 3,000 は 2026年3月27日 に入荷予定
「配達日を確認」をクリックすると、在庫と配送の詳細が表示されます。
個 | 単価 | 購入単位毎合計* |
|---|---|---|
| 10 - 140 | ¥96.00 | ¥960 |
| 150 - 1390 | ¥88.80 | ¥888 |
| 1400 - 1890 | ¥83.10 | ¥831 |
| 1900 - 2390 | ¥75.60 | ¥756 |
| 2400 + | ¥68.20 | ¥682 |
* 表示は参考価格です。ご購入数量によって価格は変動します。なお、上記数量を大きく超える大量ご購入の際は右下チャットからお問合せください。
- RS品番:
- 260-5153
- メーカー型番:
- IPN50R800CEATMA1
- メーカー/ブランド名:
- インフィニオン
仕様
データシート
その他
詳細情報
製品情報(複数選択可)を選択して、類似製品を検索します。
すべて選択 | 製品情報 | 内容 |
|---|---|---|
| ブランド | インフィニオン | |
| プロダクトタイプ | MOSFET | |
| 最大連続ドレイン電流Id | 7.6A | |
| シリーズ | IPN | |
| パッケージ型式 | PG-SOT223 | |
| 取付タイプ | 表面 | |
| ピン数 | 3 | |
| 最大ドレイン-ソース間抵抗Rds | 0.8Ω | |
| 動作温度 Min | -40°C | |
| 動作温度 Max | 150°C | |
| 長さ | 6.3mm | |
| 規格 / 承認 | No | |
| 幅 | 3.3 mm | |
| 高さ | 1.52mm | |
| 自動車規格 | なし | |
| すべて選択 | ||
|---|---|---|
ブランド インフィニオン | ||
プロダクトタイプ MOSFET | ||
最大連続ドレイン電流Id 7.6A | ||
シリーズ IPN | ||
パッケージ型式 PG-SOT223 | ||
取付タイプ 表面 | ||
ピン数 3 | ||
最大ドレイン-ソース間抵抗Rds 0.8Ω | ||
動作温度 Min -40°C | ||
動作温度 Max 150°C | ||
長さ 6.3mm | ||
規格 / 承認 No | ||
幅 3.3 mm | ||
高さ 1.52mm | ||
自動車規格 なし | ||
Infineon CoolMOS CEは、スーパージャンクション(SJ)原理に基づいて設計された革新的な高電圧パワーMOSFET技術です。
非常に高いコミュニケーション耐久性
使いやすく、ドライブも簡単
関連ページ
- Infineon MOSFET 表面, 3-Pin パッケージPG-SOT223
- Infineon MOSFET 9 A エンハンスメント型 4-Pin パッケージSOT-223, IPN50R650CEATMA1
- Infineon MOSFET 6.1 A 3-Pin パッケージSOT-223, IPN50R2K0CEATMA1
- Infineon MOSFET 6.6 A エンハンスメント型 4-Pin パッケージSOT-223, IPN50R950CEATMA1
- Infineon MOSFET 4.8 A エンハンスメント型 4-Pin パッケージSOT-223, IPN50R1K4CEATMA1
- Infineon MOSFET 6.1 A 3-Pin パッケージSOT-223
- Infineon MOSFET 6.6 A エンハンスメント型 4-Pin パッケージSOT-223
- Infineon MOSFET 4.8 A エンハンスメント型 4-Pin パッケージSOT-223
