Infineon MOSFET, 7.6 A, 表面, 3-Pin パッケージPG-SOT223, IPN50R800CEATMA1

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梱包形態
RS品番:
260-5153
メーカー型番:
IPN50R800CEATMA1
メーカー/ブランド名:
インフィニオン
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ブランド

インフィニオン

プロダクトタイプ

MOSFET

最大連続ドレイン電流Id

7.6A

シリーズ

IPN

パッケージ型式

PG-SOT223

取付タイプ

表面

ピン数

3

最大ドレイン-ソース間抵抗Rds

0.8Ω

動作温度 Min

-40°C

動作温度 Max

150°C

長さ

6.3mm

規格 / 承認

No

3.3 mm

高さ

1.52mm

自動車規格

なし

Infineon CoolMOS CEは、スーパージャンクション(SJ)原理に基づいて設計された革新的な高電圧パワーMOSFET技術です。

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