Infineon MOSFET, タイプNチャンネル 30 V, 2.4 A エンハンスメント型, 8-Pin パッケージSOIC

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RS品番:
262-6739
メーカー型番:
IRF7503TRPBF
メーカー/ブランド名:
インフィニオン
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ブランド

インフィニオン

プロダクトタイプ

MOSFET

チャンネルタイプ

タイプN

最大連続ドレイン電流Id

2.4A

最大ドレイン-ソース間電圧Vds

30V

パッケージ型式

SOIC

シリーズ

HEXFET

ピン数

8

最大ドレイン-ソース間抵抗Rds

222mΩ

チャンネルモード

エンハンスメント型

最大ゲートソース電圧Vgs

20 V

順方向電圧 Vf

1.3V

標準ゲートチャージ Qg @ Vgs

7.8nC

最大許容損失Pd

1.25W

動作温度 Min

-55°C

動作温度 Max

150°C

規格 / 承認

RoHS

自動車規格

なし

InfineonパワーMOSFETは、最新の処理技術を採用し、シリコン面積あたりの抵抗が非常に低くなっています。最小のフットプリントを備えているため、基板スペースが限られている用途に最適です。

超低抵抗

テープとリールを用意

超小型SOICパッケージ

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