Vishay Nチャンネル MOSFET650 V 24 A 基板実装 パッケージPowerPAK 10 x 12 8 ピン
- RS品番:
- 268-8311
- メーカー型番:
- SIHK105N60E-T1-GE3
- メーカー/ブランド名:
- Vishay
在庫切れ
単価： 購入単位は2個
￥825.50
(税抜)
￥908.05
(税込)
個 | 単価 | 購入単位毎合計* |
|---|---|---|
| 2 - 58 | ￥825.50 | ￥1,651.00 |
| 60 - 598 | ￥801.50 | ￥1,603.00 |
| 600 - 798 | ￥662.00 | ￥1,324.00 |
| 800 - 1598 | ￥570.50 | ￥1,141.00 |
| 1600 + | ￥551.00 | ￥1,102.00 |
* 購入単位ごとの価格
- RS品番:
- 268-8311
- メーカー型番:
- SIHK105N60E-T1-GE3
- メーカー/ブランド名:
- Vishay
その他
- COO（原産国）:
- CN
詳細情報
第4世代Eシリーズテクノロジーを採用したVishayパワーMOSFETは、スイッチング及び伝導損失を低減し、スイッチングモード電源、サーバー電源、力率補正電源などの用途に使用されます。
低有効静電容量
アバランシェ定格エネルギー
メリットの数字が低い
アバランシェ定格エネルギー
メリットの数字が低い
受注確定後にお客様専用製品として商品化されるため、発注後のキャンセル・返品はお受けできません。
仕様
特性 | |
|---|---|
| チャンネルタイプ | N |
| 最大連続ドレイン電流 | 24 A |
| 最大ドレイン-ソース間電圧 | 650 V |
| パッケージタイプ | PowerPAK 10 x 12 |
| 実装タイプ | 基板実装 |
| ピン数 | 8 |
| チャンネルモード | エンハンスメント型 |
| トランジスタ素材 | シリコン |
| 1チップ当たりのエレメント数 | 2 |
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