Vishay MOSFET, タイプNチャンネル 650 V, 24 A エンハンスメント型, PCBマウント, 8-Pin パッケージPowerPAK 10 x 12, SIHK105N60E-T1-GE3
- RS品番:
- 268-8311
- メーカー型番:
- SIHK105N60E-T1-GE3
- メーカー/ブランド名:
- Vishay
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- RS品番:
- 268-8311
- メーカー型番:
- SIHK105N60E-T1-GE3
- メーカー/ブランド名:
- Vishay
仕様
データシート
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すべて選択 | 製品情報 | 内容 |
|---|---|---|
| ブランド | Vishay | |
| プロダクトタイプ | MOSFET | |
| チャンネルタイプ | タイプN | |
| 最大連続ドレイン電流Id | 24A | |
| 最大ドレイン-ソース間電圧Vds | 650V | |
| パッケージ型式 | PowerPAK 10 x 12 | |
| シリーズ | SIHK | |
| 取付タイプ | PCBマウント | |
| ピン数 | 8 | |
| 最大ドレイン-ソース間抵抗Rds | 0.1Ω | |
| チャンネルモード | エンハンスメント型 | |
| 標準ゲートチャージ Qg @ Vgs | 53nC | |
| 順方向電圧 Vf | 1.2V | |
| 最大許容損失Pd | 132W | |
| 動作温度 Min | -55°C | |
| 動作温度 Max | 150°C | |
| 長さ | 9.9mm | |
| 規格 / 承認 | RoHS | |
| 自動車規格 | なし | |
| すべて選択 | ||
|---|---|---|
ブランド Vishay | ||
プロダクトタイプ MOSFET | ||
チャンネルタイプ タイプN | ||
最大連続ドレイン電流Id 24A | ||
最大ドレイン-ソース間電圧Vds 650V | ||
パッケージ型式 PowerPAK 10 x 12 | ||
シリーズ SIHK | ||
取付タイプ PCBマウント | ||
ピン数 8 | ||
最大ドレイン-ソース間抵抗Rds 0.1Ω | ||
チャンネルモード エンハンスメント型 | ||
標準ゲートチャージ Qg @ Vgs 53nC | ||
順方向電圧 Vf 1.2V | ||
最大許容損失Pd 132W | ||
動作温度 Min -55°C | ||
動作温度 Max 150°C | ||
長さ 9.9mm | ||
規格 / 承認 RoHS | ||
自動車規格 なし | ||
- COO（原産国）:
- CN
Vishay SIHKシリーズMOSFET、ドレインソース電圧650 V、ドレイン電流24 A - SIHK105N60E-T1-GE3
このMOSFETは、産業用および電子システムの電源スイッチング用に設計された高電圧Nチャンネル強化デバイスです。幅広い温度範囲で動作し、高いドレインソース電圧処理と大きな電流能力を必要とする用途での基板実装向けです。このコンポーネントは、密集した基板レイアウトに適したコンパクトなPowerPAKパッケージで提供されます。
特長：
• 最大ドレインソース電圧650 Vにより、高電圧スイッチング用途を実現 • 24 Aの連続ドレイン電流により、大きな負荷電流をサポート • 0.1Ω Rds(on)により、導通損失を低減し、効率を向上 • 132 Wの消費電力により、熱設計で持続的な電力処理を実現 • 53 nCの標準ゲート電荷(Vgs)により、スイッチングエネルギーを制限し、より高速なトランジションを実現 • 150°Cの最高動作温度により、高い熱動作エンブレムを実現
用途
• 高電圧電源およびコンバータに最適 • 産業用モータドライブインバータステージに最適 • スイッチモード電源の一次側スイッチに使用 • 太陽光発電インバータパワーステージに使用可能 • 力率補正回路に最適
安全な動作のために許容できるゲート駆動電圧は何ですか?
ゲートソース電圧は30 Vを超えてはならないため、ゲート酸化過度のストレスを防止し、信頼性の高いスイッチングを実現します。
このデバイスは、低温での冷始動条件でどのように動作しますか?
-55 °Cまで動作するように設定されており、ゼロ以下の温度で強化モードの伝導特性を維持します。
どのようなパッケージとピン構成が基板アセンブリに役立ちますか?
このコンポーネントは、8ピンのPowerPAK 10x12パッケージで提供され、基板レイアウトでの自動はんだ付けと熱コンタクトを容易にします。
標準的なゲート充電は、スイッチング設計にどのように影響しますか?
定格ゲートドライブでの53 nCのゲート電荷は、ゲートドライバのサイズとスイッチング損失に影響を与え、ドライバ電流能力の選択を知らせます。
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