Vishay MOSFET, タイプNチャンネル 650 V, 21 A エンハンスメント型, PCBマウント, 8-Pin パッケージPowerPAK 10 x 12, SIHK125N60EF-T1GE3
- RS品番:
- 268-8313
- メーカー型番:
- SIHK125N60EF-T1GE3
- メーカー/ブランド名:
- Vishay
ボリュームディスカウント対象商品
一括購入価格オプションを表示1 袋(1袋2個入り) 小計:*
¥1,598.00
(税抜)
¥1,757.80
(税込)
3,000円を超える注文については、送料無料
在庫あり
- 1,996 は海外在庫あり
「配達日を確認」をクリックすると、在庫と配送の詳細が表示されます。
個 | 単価 | 購入単位毎合計* |
|---|---|---|
| 2 - 58 | ¥799.00 | ¥1,598 |
| 60 - 598 | ¥706.50 | ¥1,413 |
| 600 - 798 | ¥613.50 | ¥1,227 |
| 800 - 1598 | ¥520.00 | ¥1,040 |
| 1600 + | ¥426.50 | ¥853 |
* 表示は参考価格です。ご購入数量によって価格は変動します。なお、上記数量を大きく超える大量ご購入の際は右下チャットからお問合せください。
- RS品番:
- 268-8313
- メーカー型番:
- SIHK125N60EF-T1GE3
- メーカー/ブランド名:
- Vishay
仕様
データシート
その他
詳細情報
製品情報(複数選択可)を選択して、類似製品を検索します。
すべて選択 | 製品情報 | 内容 |
|---|---|---|
| ブランド | Vishay | |
| チャンネルタイプ | タイプN | |
| プロダクトタイプ | MOSFET | |
| 最大連続ドレイン電流Id | 21A | |
| 最大ドレイン-ソース間電圧Vds | 650V | |
| シリーズ | SIHK | |
| パッケージ型式 | PowerPAK 10 x 12 | |
| 取付タイプ | PCBマウント | |
| ピン数 | 8 | |
| 最大ドレイン-ソース間抵抗Rds | 0.125Ω | |
| チャンネルモード | エンハンスメント型 | |
| 動作温度 Min | -55°C | |
| 標準ゲートチャージ Qg @ Vgs | 45nC | |
| 最大許容損失Pd | 132W | |
| 順方向電圧 Vf | 1.2V | |
| 動作温度 Max | 150°C | |
| 規格 / 承認 | RoHS | |
| 長さ | 9.9mm | |
| 自動車規格 | なし | |
| すべて選択 | ||
|---|---|---|
ブランド Vishay | ||
チャンネルタイプ タイプN | ||
プロダクトタイプ MOSFET | ||
最大連続ドレイン電流Id 21A | ||
最大ドレイン-ソース間電圧Vds 650V | ||
シリーズ SIHK | ||
パッケージ型式 PowerPAK 10 x 12 | ||
取付タイプ PCBマウント | ||
ピン数 8 | ||
最大ドレイン-ソース間抵抗Rds 0.125Ω | ||
チャンネルモード エンハンスメント型 | ||
動作温度 Min -55°C | ||
標準ゲートチャージ Qg @ Vgs 45nC | ||
最大許容損失Pd 132W | ||
順方向電圧 Vf 1.2V | ||
動作温度 Max 150°C | ||
規格 / 承認 RoHS | ||
長さ 9.9mm | ||
自動車規格 なし | ||
- COO(原産国):
- CN
Vishay SIHKシリーズMOSFET、最大ドレインソース電圧650 V、最大連続ドレイン電流21 A - SIHK125N60EF-T1GE3
このMOSFETは、プリント基板の電力変換と制御用に設計された高電圧Nチャンネルスイッチングトランジスタです。高いドレイン-ソース間電圧処理と大きな電流能力が必要な要求の厳しい電気 / 電子システムに適しています。このデバイスは、基板実装用のコンパクトなPowerPAK 10 x 12パッケージで提供され、幅広い温度範囲で動作する用途向けです。
特長:
• 650 Vのドレインソース間定格により、高電圧スイッチングを実現
• 21 Aの連続ドレイン電流により、ヘビー負荷に対応
• 0.125 Ω Rds(on)により、動作電流時の導通損失を低減
• 45 nCの標準ゲート充電により、効率的なゲートドライブ管理を実現
• 132 Wの消費電力により、大幅な熱負荷を実現
• 21 Aの連続ドレイン電流により、ヘビー負荷に対応
• 0.125 Ω Rds(on)により、動作電流時の導通損失を低減
• 45 nCの標準ゲート充電により、効率的なゲートドライブ管理を実現
• 132 Wの消費電力により、大幅な熱負荷を実現
用途
• 産業用モータ駆動インバータステージに最適
• オートメーションシステムの高電圧電源に最適
• 電気機器のスイッチモード電力変換に使用
• 中電力トラクションおよび変換モジュールに使用可能
• オートメーションシステムの高電圧電源に最適
• 電気機器のスイッチモード電力変換に使用
• 中電力トラクションおよび変換モジュールに使用可能
スイッチング回路では、どのような電圧ストレスに耐えることができますか?
ドレインとソース間で最大650 Vを処理できるため、高電圧トポロジに適しています。
ゲート充電はドライブ設計にどのように影響しますか?
45 nCの標準ゲート充電は、過渡イベント中のゲートドライバ電流とスイッチング損失の計算を通知します。
どのような過酷な温度下で動作できますか?
ジャンクション温度の動作制限は、低端で-55 °Cから高端で150 °Cまでです。
どのくらいのピンとどのような取り付けスタイルを使用しますか?
PowerPAK 10 x 12フットプリントで基板実装用の8ピンデバイスです。
最大許容ゲート電圧は何ですか?
このゲートは、ゲート‐ソース定格を超えることなく、ソースに対して最大30 Vまで駆動できます。
関連ページ
- Vishay MOSFET 21 A エンハンスメント型 8-Pin パッケージPowerPAK 10 x 12, SIHK125N60EF-T1GE3
- Vishay MOSFET 30 A エンハンスメント型 8-Pin パッケージPowerPAK 10 x 12, SIHK085N60EF-T1GE3
- Vishay MOSFET 47 A エンハンスメント型 8-Pin パッケージPowerPAK 10 x 12, SIHK045N60EF-T1GE3
- Vishay MOSFET 24 A エンハンスメント型 8-Pin パッケージPowerPAK 10 x 12, SIHK105N60EF-T1GE3
- Vishay MOSFET 16 A エンハンスメント型 8-Pin パッケージPowerPAK 10 x 12, SIHK185N60EF-T1GE3
- Vishay MOSFETおよびダイオード 33 A デプレッション型 8-Pin パッケージPowerPAK 10 x 12, SIHK075N60EF-T1GE3
- Vishay MOSFETおよびダイオード 40 A デプレッション型 8-Pin パッケージPowerPAK 10 x 12, SIHK055N60EF-T1GE3
- Vishay MOSFET 18 A エンハンスメント型 8-Pin パッケージPowerPAK 10 x 12, SIHK155N60EF-T1GE3
