Vishay MOSFET, Nチャンネル, 650 V, 16 A, 0.193 Ω, 32 nC, 8ピン, パッケージ:PowerPAK 10 x 12

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RS品番:
268-8314
メーカー型番:
SIHK185N60EF-T1GE3
メーカー/ブランド名:
Vishay
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ブランド

Vishay

チャンネルタイプ

N

プロダクトタイプ

MOSFET

最大連続ドレイン電流Id

16A

最大ドレイン-ソース間電圧Vds

650V

パッケージ型式

PowerPAK 10 x 12

シリーズ

SIHK

取付タイプ

PCBマウント

ピン数

8

最大ドレイン-ソース間抵抗Rds

0.193Ω

チャンネルモード

エンハンスメント型

最大許容損失Pd

114W

標準ゲートチャージ Qg @ Vgs

32nC

動作温度 Min

-55°C

最大ゲートソース電圧Vgs

30V

順方向電圧 Vf

1.2V

動作温度 Max

150°C

規格 / 承認

RoHS

長さ

9.9mm

自動車規格

なし

COO(原産国):
CN

Vishay SIHKシリーズMOSFET、ドレインソース電圧650 V、連続ドレイン電流16 A - SIHK185N60EF-T1GE3


このMOSFETは、基板アセンブリの電源スイッチング用に設計された高電圧Nチャンネルトランジスタです。幅広い温度範囲で動作し、堅牢な電圧処理と耐熱性が必要な産業用制御および電力変換環境に適しています。

特長:


• 650 Vのドレイン電圧により、高電圧スイッチング用途を実現 • 16 Aの連続ドレイン電流により、大きな負荷電流をサポート • 0.193Ωの低Rds(on)により、導通損失と発熱を低減 • 114 Wの消費電力により、持続的な電力処理が可能 • 32 nC標準ゲート充電により、中程度の高速スイッチング速度をサポート • 30 Vの最大ゲートドライブにより、柔軟なゲート制御設計を実現

用途


• 高電圧電源コンバータおよびインバータに最適 • 産業システムのスイッチング電源に最適 • オートメーション機器のモーター駆動スイッチングに使用 • 照明バラストおよび電子トランス制御に使用可能

システム設計では、どのような極端な熱に耐えられますか?


-55 °Cから最大150 °Cまで動作するように設定されており、周囲温度の変動が広い環境でも使用できます。

基板にはどのような取り付けが必要ですか?


8ピンのPowerPAK 10 x 12パッケージで基板実装を目的としています。このため、基板レイアウトには、熱の拡散に十分な熱バイアスと銅面積を備える必要があります。

デバイスを保護するために、どのようにゲートドライブを制限する必要がありますか?


ゲートはソースに対して±30 Vを超えてはならないため、ゲートドライブ回路には、過電圧を防止するためのクランプまたは調整が必要です。

どのような充電特性がゲートドライバの選択に影響しますか?


標準的なゲート充電は、指定されたゲートバイアスで32 nCで、ゲートドライバサイズに必要なドライブ電流とスイッチング損失を示します。

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