Vishay MOSFET, タイプNチャンネル 650 V, 24 A エンハンスメント型, PCBマウント, 8-Pin パッケージPowerPAK 10 x 12, SIHK105N60EF-T1GE3
- RS品番:
- 268-8309
- メーカー型番:
- SIHK105N60EF-T1GE3
- メーカー/ブランド名:
- Vishay
ボリュームディスカウント対象商品
一括購入価格オプションを表示1 袋(1袋2個入り) 小計：*
￥1,860.00
(税抜)
￥2,046.00
(税込)
3,000円を超える注文については、送料無料
在庫あり
- 2,050 は海外在庫あり
「配達日を確認」をクリックすると、在庫と配送の詳細が表示されます。
個 | 単価 | 購入単位毎合計* |
|---|---|---|
| 2 - 58 | ￥930.00 | ￥1,860 |
| 60 - 598 | ￥819.00 | ￥1,638 |
| 600 - 798 | ￥707.00 | ￥1,414 |
| 800 - 1598 | ￥598.50 | ￥1,197 |
| 1600 + | ￥485.50 | ￥971 |
* 表示は参考価格です。ご購入数量によって価格は変動します。なお、上記数量を大きく超える大量ご購入の際は右下チャットからお問合せください。
- RS品番:
- 268-8309
- メーカー型番:
- SIHK105N60EF-T1GE3
- メーカー/ブランド名:
- Vishay
仕様
データシート
その他
詳細情報
製品情報（複数選択可）を選択して、類似製品を検索します。
すべて選択 | 製品情報 | 内容 |
|---|---|---|
| ブランド | Vishay | |
| チャンネルタイプ | タイプN | |
| プロダクトタイプ | MOSFET | |
| 最大連続ドレイン電流Id | 24A | |
| 最大ドレイン-ソース間電圧Vds | 650V | |
| パッケージ型式 | PowerPAK 10 x 12 | |
| シリーズ | SIHK | |
| 取付タイプ | PCBマウント | |
| ピン数 | 8 | |
| 最大ドレイン-ソース間抵抗Rds | 0.105Ω | |
| チャンネルモード | エンハンスメント型 | |
| 最大許容損失Pd | 142W | |
| 動作温度 Min | -55°C | |
| 標準ゲートチャージ Qg @ Vgs | 51nC | |
| 順方向電圧 Vf | 1.2V | |
| 動作温度 Max | 150°C | |
| 長さ | 9.9mm | |
| 規格 / 承認 | RoHS | |
| 自動車規格 | なし | |
| すべて選択 | ||
|---|---|---|
ブランド Vishay | ||
チャンネルタイプ タイプN | ||
プロダクトタイプ MOSFET | ||
最大連続ドレイン電流Id 24A | ||
最大ドレイン-ソース間電圧Vds 650V | ||
パッケージ型式 PowerPAK 10 x 12 | ||
シリーズ SIHK | ||
取付タイプ PCBマウント | ||
ピン数 8 | ||
最大ドレイン-ソース間抵抗Rds 0.105Ω | ||
チャンネルモード エンハンスメント型 | ||
最大許容損失Pd 142W | ||
動作温度 Min -55°C | ||
標準ゲートチャージ Qg @ Vgs 51nC | ||
順方向電圧 Vf 1.2V | ||
動作温度 Max 150°C | ||
長さ 9.9mm | ||
規格 / 承認 RoHS | ||
自動車規格 なし | ||
- COO（原産国）:
- CN
Vishay SIHKシリーズMOSFET、ドレインソース電圧650 V、連続ドレイン電流24 A - SIHK105N60EF-T1GE3
このMOSFETは、産業用電子機器の電力変換およびスイッチング用途向けに設計された高電圧Nチャンネル半導体スイッチです。広い温度範囲で動作し、8ピンパッケージでプリント基板に取り付けることができ、要求の厳しい電気制御環境に適したスイッチング能力と熱処理のバランスを提供します。
特長：
• 650 Vのドレイン定格により、高電圧スイッチング用途を実現 • 24 Aの連続ドレイン電流により、大きな負荷電流をサポート • 0.105Ω Rds(on)により、動作中の導通損失を低減 • 51 nCゲートチャージにより、制御されたスイッチング性能を実現 • 142 Wの消費電力により、基板上の高出力処理をサポート • ±30 Vのゲート許容差により、幅広いゲートドライブマージンを実現
用途
• 産業用モータドライブインバータステージに最適 • 高電圧電源およびコンバータに最適 • オートメーションシステムのDC-DC変換に使用 • 機械のスイッチモード電源コントローラに使用可能 • 配電ユニットの電源スイッチングに最適
このデバイスは、動作中にどのような過酷な熱に耐えられますか?
-55 °Cから最大150 °Cまで動作する定格で、過酷な熱環境での使用が可能です。
ボードには、どのくらいのピンとどのような取り付けスタイルが必要ですか?
PowerPAK 10 x 12フットプリントで基板実装用に設計された8ピン構成で提供されます。
どのような種類のゲートドライブ制限を遵守する必要がありますか?
このデバイスは、ゲートとソースの間で最大30 Vの電圧を受け入れるため、損傷を防止するためにゲートドライブ回路をその制限内に保つ必要があります。
このデバイスは、環境材料の制限にどのように適合していますか?
制限された有害物質の適合を示すRoHS要件に適合しています。
関連ページ
- Vishay MOSFET 24 A エンハンスメント型 8-Pin パッケージPowerPAK 10 x 12, SIHK105N60EF-T1GE3
- Vishay MOSFET 30 A エンハンスメント型 8-Pin パッケージPowerPAK 10 x 12, SIHK085N60EF-T1GE3
- Vishay MOSFET 47 A エンハンスメント型 8-Pin パッケージPowerPAK 10 x 12, SIHK045N60EF-T1GE3
- Vishay MOSFET 16 A エンハンスメント型 8-Pin パッケージPowerPAK 10 x 12, SIHK185N60EF-T1GE3
- Vishay MOSFET 21 A エンハンスメント型 8-Pin パッケージPowerPAK 10 x 12, SIHK125N60EF-T1GE3
- Vishay MOSFETおよびダイオード 33 A デプレッション型 8-Pin パッケージPowerPAK 10 x 12, SIHK075N60EF-T1GE3
- Vishay MOSFETおよびダイオード 40 A デプレッション型 8-Pin パッケージPowerPAK 10 x 12, SIHK055N60EF-T1GE3
- Vishay MOSFET 18 A エンハンスメント型 8-Pin パッケージPowerPAK 10 x 12, SIHK155N60EF-T1GE3