Vishay MOSFET, タイプNチャンネル 650 V, 24 A エンハンスメント型, PCBマウント, 8-Pin パッケージPowerPAK 10 x 12, SIHK105N60EF-T1GE3
- RS品番:
- 268-8309
- メーカー型番:
- SIHK105N60EF-T1GE3
- メーカー/ブランド名:
- Vishay
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- RS品番:
- 268-8309
- メーカー型番:
- SIHK105N60EF-T1GE3
- メーカー/ブランド名:
- Vishay
仕様
データシート
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詳細情報
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すべて選択 | 製品情報 | 内容 |
|---|---|---|
| ブランド | Vishay | |
| プロダクトタイプ | MOSFET | |
| チャンネルタイプ | タイプN | |
| 最大連続ドレイン電流Id | 24A | |
| 最大ドレイン-ソース間電圧Vds | 650V | |
| パッケージ型式 | PowerPAK 10 x 12 | |
| シリーズ | SIHK | |
| 取付タイプ | PCBマウント | |
| ピン数 | 8 | |
| 最大ドレイン-ソース間抵抗Rds | 0.105Ω | |
| チャンネルモード | エンハンスメント型 | |
| 順方向電圧 Vf | 1.2V | |
| 動作温度 Min | -55°C | |
| 標準ゲートチャージ Qg @ Vgs | 51nC | |
| 最大許容損失Pd | 142W | |
| 動作温度 Max | 150°C | |
| 規格 / 承認 | RoHS | |
| 長さ | 9.9mm | |
| 自動車規格 | なし | |
| すべて選択 | ||
|---|---|---|
ブランド Vishay | ||
プロダクトタイプ MOSFET | ||
チャンネルタイプ タイプN | ||
最大連続ドレイン電流Id 24A | ||
最大ドレイン-ソース間電圧Vds 650V | ||
パッケージ型式 PowerPAK 10 x 12 | ||
シリーズ SIHK | ||
取付タイプ PCBマウント | ||
ピン数 8 | ||
最大ドレイン-ソース間抵抗Rds 0.105Ω | ||
チャンネルモード エンハンスメント型 | ||
順方向電圧 Vf 1.2V | ||
動作温度 Min -55°C | ||
標準ゲートチャージ Qg @ Vgs 51nC | ||
最大許容損失Pd 142W | ||
動作温度 Max 150°C | ||
規格 / 承認 RoHS | ||
長さ 9.9mm | ||
自動車規格 なし | ||
- COO（原産国）:
- CN
VishayパワーMOSFETは、高速ボディダイオードと第4世代Eシリーズテクノロジーを備えています。スイッチング及び伝導損失を低減し、スイッチングモード電源、サーバー電源、通信電源などの用途に使用されます。
低有効静電容量
アバランシェ定格エネルギー
メリットの数字が低い
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