Vishay MOSFET, Nチャンネル, 650 V, 24 A, 0.105 Ω, 51 nC, 8ピン, パッケージ：PowerPAK 10 x 12

RS品番:: 268-8309
メーカー型番:: SIHK105N60EF-T1GE3
メーカー/ブランド名:: Vishay

Vishay MOSFET, Nチャンネル, 650 V, 24 A, 0.105 Ω, 51 nC, 8ピン, パッケージ：PowerPAK 10 x 12

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RS品番:: 268-8309
メーカー型番:: SIHK105N60EF-T1GE3
メーカー/ブランド名:: Vishay

データシート

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すべて選択	製品情報	内容
	ブランド	Vishay
	プロダクトタイプ	MOSFET
	チャンネルタイプ	N
	最大連続ドレイン電流Id	24A
	最大ドレイン-ソース間電圧Vds	650V
	シリーズ	SIHK
	パッケージ型式	PowerPAK 10 x 12
	取付タイプ	PCBマウント
	ピン数	8
	最大ドレイン-ソース間抵抗Rds	0.105Ω
	チャンネルモード	エンハンスメント型
	順方向電圧 Vf	1.2V
	最大ゲートソース電圧Vgs	30V
	動作温度 Min	-55°C
	標準ゲートチャージ Qg @ Vgs	51nC
	最大許容損失Pd	142W
	動作温度 Max	150°C
	長さ	9.9mm
	規格 / 承認	RoHS
	自動車規格	なし

	すべて選択
	ブランド Vishay
	プロダクトタイプ MOSFET
	チャンネルタイプ N
	最大連続ドレイン電流Id 24A
	最大ドレイン-ソース間電圧Vds 650V
	シリーズ SIHK
	パッケージ型式 PowerPAK 10 x 12
	取付タイプ PCBマウント
	ピン数 8
	最大ドレイン-ソース間抵抗Rds 0.105Ω
	チャンネルモードエンハンスメント型
	順方向電圧 Vf 1.2V
	最大ゲートソース電圧Vgs 30V
	動作温度 Min -55°C
	標準ゲートチャージ Qg @ Vgs 51nC
	最大許容損失Pd 142W
	動作温度 Max 150°C
	長さ 9.9mm
	規格 / 承認 RoHS
	自動車規格なし

COO（原産国）:: CN

Vishay SIHKシリーズMOSFET、ドレインソース電圧650 V、連続ドレイン電流24 A - SIHK105N60EF-T1GE3

このMOSFETは、産業用電子機器の電力変換およびスイッチング用途向けに設計された高電圧Nチャンネル半導体スイッチです。広い温度範囲で動作し、8ピンパッケージでプリント基板に取り付けることができ、要求の厳しい電気制御環境に適したスイッチング能力と熱処理のバランスを提供します。

特長：

• 650 Vのドレイン定格により、高電圧スイッチング用途を実現 • 24 Aの連続ドレイン電流により、大きな負荷電流をサポート • 0.105Ω Rds(on)により、動作中の導通損失を低減 • 51 nCゲートチャージにより、制御されたスイッチング性能を実現 • 142 Wの消費電力により、基板上の高出力処理をサポート • ±30 Vのゲート許容差により、幅広いゲートドライブマージンを実現

用途

• 産業用モータドライブインバータステージに最適 • 高電圧電源およびコンバータに最適 • オートメーションシステムのDC-DC変換に使用 • 機械のスイッチモード電源コントローラに使用可能 • 配電ユニットの電源スイッチングに最適

このデバイスは、動作中にどのような過酷な熱に耐えられますか?

-55 °Cから最大150 °Cまで動作する定格で、過酷な熱環境での使用が可能です。

ボードには、どのくらいのピンとどのような取り付けスタイルが必要ですか?

PowerPAK 10 x 12フットプリントで基板実装用に設計された8ピン構成で提供されます。

どのような種類のゲートドライブ制限を遵守する必要がありますか?

このデバイスは、ゲートとソースの間で最大30 Vの電圧を受け入れるため、損傷を防止するためにゲートドライブ回路をその制限内に保つ必要があります。

このデバイスは、環境材料の制限にどのように適合していますか?

制限された有害物質の適合を示すRoHS要件に適合しています。