Vishay MOSFET, タイプNチャンネル 650 V, 35 A エンハンスメント型, スルーホール, 3-Pin パッケージJEDEC TO-220AB, SIHP074N65E-GE3
- RS品番:
- 279-9923
- メーカー型番:
- SIHP074N65E-GE3
- メーカー/ブランド名:
- Vishay
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- RS品番:
- 279-9923
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- SIHP074N65E-GE3
- メーカー/ブランド名:
- Vishay
仕様
データシート
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詳細情報
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すべて選択 | 製品情報 | 内容 |
|---|---|---|
| ブランド | Vishay | |
| チャンネルタイプ | タイプN | |
| プロダクトタイプ | MOSFET | |
| 最大連続ドレイン電流Id | 35A | |
| 最大ドレイン-ソース間電圧Vds | 650V | |
| パッケージ型式 | JEDEC TO-220AB | |
| シリーズ | SIHP | |
| 取付タイプ | スルーホール | |
| ピン数 | 3 | |
| 最大ドレイン-ソース間抵抗Rds | 0.078Ω | |
| チャンネルモード | エンハンスメント型 | |
| 順方向電圧 Vf | 1.2V | |
| 標準ゲートチャージ Qg @ Vgs | 8nC | |
| 動作温度 Min | -55°C | |
| 最大許容損失Pd | 250W | |
| 動作温度 Max | 150°C | |
| 規格 / 承認 | RoHS | |
| 自動車規格 | なし | |
| すべて選択 | ||
|---|---|---|
ブランド Vishay | ||
チャンネルタイプ タイプN | ||
プロダクトタイプ MOSFET | ||
最大連続ドレイン電流Id 35A | ||
最大ドレイン-ソース間電圧Vds 650V | ||
パッケージ型式 JEDEC TO-220AB | ||
シリーズ SIHP | ||
取付タイプ スルーホール | ||
ピン数 3 | ||
最大ドレイン-ソース間抵抗Rds 0.078Ω | ||
チャンネルモード エンハンスメント型 | ||
順方向電圧 Vf 1.2V | ||
標準ゲートチャージ Qg @ Vgs 8nC | ||
動作温度 Min -55°C | ||
最大許容損失Pd 250W | ||
動作温度 Max 150°C | ||
規格 / 承認 RoHS | ||
自動車規格 なし | ||
Vishay SIHPシリーズMOSFET、最大ドレインソース電圧650 V、最大連続ドレイン電流35 A - SIHP074N65E-GE3
このNチャンネル強化MOSFETは、産業用および電子システムの高電圧、高電流回路の切り替えおよび制御用に設計されています。スルーホール取り付けに適しており、堅牢な電圧処理と耐熱性が必要なディスクリートパワーステージに対応するコンパクトなパワー半導体ソリューションを提供します。このデバイスは、幅広い周囲範囲で動作し、高い動作温度と大きな連続電流能力を必要とする用途向けに設計されています。
特長：
• 650 Vのドレイン電圧により、高電圧スイッチング用途を実現
• 35 Aの連続電流により、大幅な電力供給をサポート
• 0.078 Ωオン抵抗により、導通損失を最小限に抑制
• 250 Wの消費電力により、より高い負荷処理を容易に実現
• 8 nC標準ゲート充電により、スイッチング応答を高速化
• 30 Vのゲート許容差により、一般的なドライブレベルからゲートを保護
• 35 Aの連続電流により、大幅な電力供給をサポート
• 0.078 Ωオン抵抗により、導通損失を最小限に抑制
• 250 Wの消費電力により、より高い負荷処理を容易に実現
• 8 nC標準ゲート充電により、スイッチング応答を高速化
• 30 Vのゲート許容差により、一般的なドライブレベルからゲートを保護
用途
• 高電圧モータドライブフロントエンドに最適
• 産業機器のスイッチモード電源に最適
• 電力変換システムのインバータステージに使用
• オートメーションパネルの電子負荷スイッチに使用可能
• サージサプレッサおよびスナバーネットワーク実装に最適
• 産業機器のスイッチモード電源に最適
• 電力変換システムのインバータステージに使用
• オートメーションパネルの電子負荷スイッチに使用可能
• サージサプレッサおよびスナバーネットワーク実装に最適
プリント基板の統合には、どのような取り付け方法が必要ですか?
スルーホールTO‐220ABパッケージで提供され、シャーシやヒートシンクプレートへの確実な機械的取り付けと効率的なヒートシンクを実現します。
高温環境ではどのような性能を発揮しますか?
150 °Cまでの定格動作に対応し、密集した電源アセンブリで熱マージンをサポートします。
スイッチング設計の標準的なゲートドライブの需要は何ですか?
標準ゲートドライブレベルで8 nCの標準ゲート充電を予想し、ゲートドライバ電流とスイッチングエネルギーの計算に役立ちます。
材料にはどのような環境規格または規制基準が適用されますか?
このデバイスは、コンポーネント材料の制限物質に関するRoHS要件に適合しています。
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