Vishay MOSFET, Nチャンネル, 650 V, 35 A, 0.078 Ω, 8 nC, 3ピン, パッケージ：JEDEC TO-220AB
- RS品番:
- 279-9923
- メーカー型番:
- SIHP074N65E-GE3
- メーカー/ブランド名:
- Vishay
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- RS品番:
- 279-9923
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- SIHP074N65E-GE3
- メーカー/ブランド名:
- Vishay
仕様
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すべて選択 | 製品情報 | 内容 |
|---|---|---|
| ブランド | Vishay | |
| チャンネルタイプ | N | |
| プロダクトタイプ | MOSFET | |
| 最大連続ドレイン電流Id | 35A | |
| 最大ドレイン-ソース間電圧Vds | 650V | |
| パッケージ型式 | JEDEC TO-220AB | |
| シリーズ | SIHP | |
| 取付タイプ | スルーホール | |
| ピン数 | 3 | |
| 最大ドレイン-ソース間抵抗Rds | 0.078Ω | |
| チャンネルモード | エンハンスメント型 | |
| 最大ゲートソース電圧Vgs | 30V | |
| 順方向電圧 Vf | 1.2V | |
| 最大許容損失Pd | 250W | |
| 標準ゲートチャージ Qg @ Vgs | 8nC | |
| 動作温度 Min | -55°C | |
| 動作温度 Max | 150°C | |
| 規格 / 承認 | RoHS | |
| 自動車規格 | なし | |
| すべて選択 | ||
|---|---|---|
ブランド Vishay | ||
チャンネルタイプ N | ||
プロダクトタイプ MOSFET | ||
最大連続ドレイン電流Id 35A | ||
最大ドレイン-ソース間電圧Vds 650V | ||
パッケージ型式 JEDEC TO-220AB | ||
シリーズ SIHP | ||
取付タイプ スルーホール | ||
ピン数 3 | ||
最大ドレイン-ソース間抵抗Rds 0.078Ω | ||
チャンネルモード エンハンスメント型 | ||
最大ゲートソース電圧Vgs 30V | ||
順方向電圧 Vf 1.2V | ||
最大許容損失Pd 250W | ||
標準ゲートチャージ Qg @ Vgs 8nC | ||
動作温度 Min -55°C | ||
動作温度 Max 150°C | ||
規格 / 承認 RoHS | ||
自動車規格 なし | ||
Vishay SIHPシリーズMOSFET、ドレインソース電圧650V、連続ドレイン電流35A - SIHP074N65E-GE3
このMOSFETは、産業用電子機器の電力スイッチングおよび変換用に設計された高電圧Nチャンネル強化装置です。TO-220ABパッケージのスルーホール実装に対応し、幅広い環境範囲で堅牢な熱処理とゲート保護を必要とする用途に適しています。
特長：
• 650 Vのドレイン定格により、高電圧スイッチング機能を実現
• 連続ドレイン電流 35A により、継続的な電力供給に対応
• 0.078Ω RDS(on)により、低い導通損失を実現
• 250Wの消費電力により、優れた熱性能を発揮
• 8nC標準ゲート充電により、効率的なゲートドライブスイッチングを実現
• 最大30Vのゲートソース保護により、ゲートストレスを制限
• 連続ドレイン電流 35A により、継続的な電力供給に対応
• 0.078Ω RDS(on)により、低い導通損失を実現
• 250Wの消費電力により、優れた熱性能を発揮
• 8nC標準ゲート充電により、効率的なゲートドライブスイッチングを実現
• 最大30Vのゲートソース保護により、ゲートストレスを制限
用途
• 高電圧スイッチング電源に最適
• 産業用モータインバータステージに最適
• 再生可能エネルギー電力調整回路に使用
• 産業用コンバータのハードスイッチングに使用可能
• レガシー設計のスルーホール交換に最適
• 産業用モータインバータステージに最適
• 再生可能エネルギー電力調整回路に使用
• 産業用コンバータのハードスイッチングに使用可能
• レガシー設計のスルーホール交換に最適
動作時に対応できる温度範囲はどのくらいですか？
-55°C～150°Cの幅広い温度範囲で信頼性の高い動作を実現し、過酷な環境条件でも使用できます。
このパッケージは、冷却と取り付けにどのような影響を与えますか?
TO-220ABスルーホールパッケージは、ヒートシンク用の金属タブと、熱管理を強化するための簡単な基板またはシャーシ取り付けを提供します。
スイッチング性能にはどのようなゲートドライブに関する考慮事項が必要ですか?
ゲートドライバを設計して、30 Vのゲート-ソース制限を遵守しながら、8 nCのゲート充電に十分な電流を供給し、必要なスイッチング速度を実現します。
注目すべき特定の順方向伝導特性はありますか?
このデバイスは、導通下で1.2 Vの順方向電圧を備えているため、損失および熱計算に考慮する必要があります。
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