Infineon パワーMOSFET, タイプNチャンネル 0.82 V, 23 A エンハンスメント型, 表面, 8-Pin パッケージPG-HSOF-8, IPT60R022S7XTMA1

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RS品番:
273-2795
メーカー型番:
IPT60R022S7XTMA1
メーカー/ブランド名:
インフィニオン
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ブランド

インフィニオン

プロダクトタイプ

パワーMOSFET

チャンネルタイプ

タイプN

最大連続ドレイン電流Id

23A

最大ドレイン-ソース間電圧Vds

0.82V

シリーズ

IPT

パッケージ型式

PG-HSOF-8

取付タイプ

表面

ピン数

8

最大ドレイン-ソース間抵抗Rds

22mΩ

チャンネルモード

エンハンスメント型

動作温度 Min

-55°C

順方向電圧 Vf

0.82V

標準ゲートチャージ Qg @ Vgs

150nC

最大許容損失Pd

390W

最大ゲートソース電圧Vgs

20 V

動作温度 Max

150°C

規格 / 承認

RoHS, JEDEC

自動車規格

なし

Infineon MOSFETは、600 VのCoolMOS SJ S7電源デバイスです。低周波スイッチング用途に最適な価格パフォーマンスを実現します。CoolMOS S7は、HV SJ MOSFETのRdson値が最も低く、エネルギー効率が優れています。CoolMOS S7は、静的スイッチング及び高電流用途向けに最適化されています。ソリッドステートリレーや回路ブレーカ設計、SMPSやインバータトポロジのライン整流に最適です。

鉛フリーの合計

RoHS準拠

スイッチング時間の高速化

視覚的に簡単に検査できるリード

導電損失を最小限に抑える

よりコンパクトで簡単な設計

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