Vishay MOSFET, Nチャンネル, 650 V, 14 A, 0.079 Ω, 8 nC, 3ピン, パッケージ：TO-220
- RS品番:
- 279-9907
- メーカー型番:
- SIHF074N65E-GE3
- メーカー/ブランド名:
- Vishay
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- RS品番:
- 279-9907
- メーカー型番:
- SIHF074N65E-GE3
- メーカー/ブランド名:
- Vishay
仕様
データシート
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詳細情報
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すべて選択 | 製品情報 | 内容 |
|---|---|---|
| ブランド | Vishay | |
| プロダクトタイプ | MOSFET | |
| チャンネルタイプ | N | |
| 最大連続ドレイン電流Id | 14A | |
| 最大ドレイン-ソース間電圧Vds | 650V | |
| シリーズ | SIHF | |
| パッケージ型式 | TO-220 | |
| 取付タイプ | スルーホール | |
| ピン数 | 3 | |
| 最大ドレイン-ソース間抵抗Rds | 0.079Ω | |
| チャンネルモード | エンハンスメント型 | |
| 標準ゲートチャージ Qg @ Vgs | 8nC | |
| 動作温度 Min | -55°C | |
| 最大ゲートソース電圧Vgs | 30V | |
| 順方向電圧 Vf | 1.2V | |
| 最大許容損失Pd | 39W | |
| 動作温度 Max | 150°C | |
| 長さ | 10.1mm | |
| 規格 / 承認 | RoHS | |
| 自動車規格 | なし | |
| すべて選択 | ||
|---|---|---|
ブランド Vishay | ||
プロダクトタイプ MOSFET | ||
チャンネルタイプ N | ||
最大連続ドレイン電流Id 14A | ||
最大ドレイン-ソース間電圧Vds 650V | ||
シリーズ SIHF | ||
パッケージ型式 TO-220 | ||
取付タイプ スルーホール | ||
ピン数 3 | ||
最大ドレイン-ソース間抵抗Rds 0.079Ω | ||
チャンネルモード エンハンスメント型 | ||
標準ゲートチャージ Qg @ Vgs 8nC | ||
動作温度 Min -55°C | ||
最大ゲートソース電圧Vgs 30V | ||
順方向電圧 Vf 1.2V | ||
最大許容損失Pd 39W | ||
動作温度 Max 150°C | ||
長さ 10.1mm | ||
規格 / 承認 RoHS | ||
自動車規格 なし | ||
Vishay SIHFシリーズMOSFET、最大ドレインソース電圧650V、最大連続ドレイン電流14A - SIHF074N65E-GE3
このMOSFETは、電力管理およびスイッチング環境でのスルーホール実装向けに設計された高電圧Nチャンネルパワートランジスタです。幅広い温度範囲で動作し、RoHS規制に適合しながら、大きな電圧処理と中程度の電流容量を必要とする用途向けに設計されています。
特長：
• 650V ドレイン定格により、高電圧スイッチング機能を実現
• 14Aの連続ドレイン電流により、持続的な電力供給をサポート
• 0.079Ω Rds(on)により、動作中の導通損失を低減
• 39Wの消費電力により、高い熱スループットを実現
• 8 nC標準ゲート充電により、応答性の高いスイッチング動作を実現
• 30 Vのゲート許容差により、広い駆動電圧範囲を実現
• 14Aの連続ドレイン電流により、持続的な電力供給をサポート
• 0.079Ω Rds(on)により、動作中の導通損失を低減
• 39Wの消費電力により、高い熱スループットを実現
• 8 nC標準ゲート充電により、応答性の高いスイッチング動作を実現
• 30 Vのゲート許容差により、広い駆動電圧範囲を実現
用途
• 高電圧スイッチング電源に最適
• 産業用モータードライブのインバータ段に最適
• 高電圧DC-DCコンバータトポロジーで使用
• 再生可能エネルギー電力変換に使用可能
• 力率補正フロントエンド回路に最適
• 産業用モータードライブのインバータ段に最適
• 高電圧DC-DCコンバータトポロジーで使用
• 再生可能エネルギー電力変換に使用可能
• 力率補正フロントエンド回路に最適
このデバイスは、動作中にどのような極端な温度条件に耐えることができますか？
定格動作温度は-55°C～150°Cで、幅広い温度耐性が求められる過酷な熱環境での使用が可能です。
取り付けにはどのような取り付け方法が必要ですか?
このコンポーネントは、基板実装用のスルーホールTO-220パッケージを採用し、標準的なヒートシンクオプションにより熱管理を向上させます。
ゲート特性はスイッチング設計にどのように影響しますか?
指定されたゲートドライブレベルで8nCの標準ゲート電荷は、スイッチング速度とドライブ消費電力のバランスを取るためのゲートドライバ選択を通知します。
損傷を防止するために、ゲート駆動電圧に制限はありますか?
このデバイスは、最大30 Vのゲートソース間電圧に対応するため、設計にはドライブ回路がこのしきい値を超えないことを確認する必要があります。
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