型番

Vishay MOSFET, タイプNチャンネル 80 V, 66.8 A エンハンスメント型, 表面, 8-Pin パッケージSO-8, SIR5808DP-T1-RE3

RS品番:: 279-9956
メーカー型番:: SIR5808DP-T1-RE3
メーカー/ブランド名:: Vishay

Vishay MOSFET, タイプNチャンネル 80 V, 66.8 A エンハンスメント型, 表面, 8-Pin パッケージSO-8, SIR5808DP-T1-RE3

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RS品番:: 279-9956
メーカー型番:: SIR5808DP-T1-RE3
メーカー/ブランド名:: Vishay

仕様

データシート

その他

詳細情報

製品情報（複数選択可）を選択して、類似製品を検索します。

すべて選択	製品情報	内容
	ブランド	Vishay
	プロダクトタイプ	MOSFET
	チャンネルタイプ	タイプN
	最大連続ドレイン電流Id	66.8A
	最大ドレイン-ソース間電圧Vds	80V
	パッケージ型式	SO-8
	シリーズ	SiR
	取付タイプ	表面
	ピン数	8
	最大ドレイン-ソース間抵抗Rds	0.00735Ω
	チャンネルモード	エンハンスメント型
	動作温度 Min	-55°C
	最大許容損失Pd	65.7W
	最大ゲートソース電圧Vgs	±20 V
	標準ゲートチャージ Qg @ Vgs	24nC
	動作温度 Max	150°C
	長さ	5.15mm
	規格 / 承認	RoHS
	自動車規格	なし

	すべて選択
	ブランド Vishay
	プロダクトタイプ MOSFET
	チャンネルタイプタイプN
	最大連続ドレイン電流Id 66.8A
	最大ドレイン-ソース間電圧Vds 80V
	パッケージ型式 SO-8
	シリーズ SiR
	取付タイプ表面
	ピン数 8
	最大ドレイン-ソース間抵抗Rds 0.00735Ω
	チャンネルモードエンハンスメント型
	動作温度 Min -55°C
	最大許容損失Pd 65.7W
	最大ゲートソース電圧Vgs ±20 V
	標準ゲートチャージ Qg @ Vgs 24nC
	動作温度 Max 150°C
	長さ 5.15mm
	規格 / 承認 RoHS
	自動車規格なし

Vishay MOSFETはNチャンネルMOSFETで、トランジスタはシリコンと呼ばれる素材で構成されています。

TrenchFETパワーMOSFET

完全鉛(鉛)フリーデバイス

非常に低いRDS x Qgのメリット数値

100 % Rg及びUISテスト済み

Vishay MOSFET, タイプNチャンネル 80 V, 66.8 A エンハンスメント型, 表面, 8-Pin パッケージSO-8, SIR5808DP-T1-RE3

￥3,000円を超える注文については、送料無料

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