Vishay MOSFET, Nチャンネル, 30 V, 478 A, 0.00057 Ω, 230 nC, 8ピン, パッケージ:SO-8

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梱包形態
RS品番:
279-9963
メーカー型番:
SIRS4302DP-T1-GE3
メーカー/ブランド名:
Vishay
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ブランド

Vishay

チャンネルタイプ

N

プロダクトタイプ

MOSFET

最大連続ドレイン電流Id

478A

最大ドレイン-ソース間電圧Vds

30V

パッケージ型式

SO-8

シリーズ

SIRS

取付タイプ

表面

ピン数

8

最大ドレイン-ソース間抵抗Rds

0.00057Ω

チャンネルモード

エンハンスメント型

標準ゲートチャージ Qg @ Vgs

230nC

動作温度 Min

-55°C

最大許容損失Pd

208W

最大ゲートソース電圧Vgs

20V

動作温度 Max

150°C

規格 / 承認

RoHS

長さ

5mm

自動車規格

なし

Vishay SIRSシリーズMOSFET、最大消費電力208W、最大ドレインソース電圧30V - SIRS4302DP-T1-GE3


このMOSFETは、要求の厳しい電源スイッチング環境向けに設計された高電流Nチャンネル強化デバイスです。広い温度範囲で動作し、密集した電源アセンブリへの統合に適したコンパクトなSO-8表面実装パッケージで提供されます。RoHSに準拠したこのコンポーネントは、耐熱性と大幅な連続電流処理が求められる産業用途向けに設計されています。

特長:


• 超低オン抵抗(0.00057Ω)により、導通損失を最小限に抑制
• 478Aの高連続ドレイン電流により、高負荷スイッチングを実現
• 低電圧電力段向けのドレインソース定格電圧 30V
• 208Wの消費電力により、高出力動作をサポート
• ゲート充電230nCにより、予測可能なスイッチング動作を実現
• ゲート-ソース間許容電圧 20V により、高い駆動電圧に対応

用途


• サーバーラック内の高電流DC-DCコンバータに最適
• パワーモジュールのパラレルMOSFET配置に最適
• 電源の同期整流に使用
• 高いピーク電流を必要とするモータードライブステージに使用可能
• 広い温度範囲で動作する産業用スイッチングレギュレータに最適

極端な周囲温度下ではどのように性能を発揮しますか?


-55°C~150°Cで動作するように設計されており、過酷な熱条件にさらされる用途に対応します。

熱管理にはどのような取り付け方法が推奨されますか?


適切な銅面積または熱バイアスを備えた基板に表面実装する必要があり、最大208Wを安全に放散する必要があります。

高速スイッチングにはどのようなゲートドライブが必要ですか?


標準ゲート電荷:230nC

ドライバは、過度の損失を受けずに必要な立ち上がり /立ち下がり時間を実現するために、十分なピーク電流を供給する必要があります。

このデバイスは自動車認定プログラムに適していますか?


このコンポーネントは自動車グレードに分類されていません

車両プログラムの適合性は、特定の資格要件に対して評価する必要があります。

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