2 Vishay MOSFET 分離式, タイプPチャンネル, 8 A, 表面 30 V, 8-Pin エンハンスメント型, SI4925DDY-T1-GE3 パッケージSOIC

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梱包形態
RS品番:
787-9052
メーカー型番:
SI4925DDY-T1-GE3
メーカー/ブランド名:
Vishay
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ブランド

Vishay

プロダクトタイプ

MOSFET

チャンネルタイプ

タイプP

最大連続ドレイン電流Id

8A

最大ドレイン-ソース間電圧Vds

30V

パッケージ型式

SOIC

シリーズ

TrenchFET

取付タイプ

表面

ピン数

8

最大ドレイン-ソース間抵抗Rds

41mΩ

チャンネルモード

エンハンスメント型

標準ゲートチャージ Qg @ Vgs

32nC

最大許容損失Pd

5W

最大ゲートソース電圧Vgs

20 V

動作温度 Min

150°C

動作温度 Max

-55°C

トランジスタ構成

分離式

高さ

1.5mm

長さ

5mm

幅

4 mm

規格 / 承認

No

1チップ当たりのエレメント数

2

自動車規格

なし

デュアルPチャンネルMOSFET、Vishay Semiconductor


MOSFETトランジスタ、Vishay Semiconductor


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