型番

2 Vishay MOSFET 分離式, タイプPチャンネル, 8 A, 表面 30 V, 8-Pin エンハンスメント型, SI4925DDY-T1-GE3 パッケージSOIC

RS品番:: 787-9052
メーカー型番:: SI4925DDY-T1-GE3
メーカー/ブランド名:: Vishay

2 Vishay MOSFET 分離式, タイプPチャンネル, 8 A, 表面 30 V, 8-Pin エンハンスメント型, SI4925DDY-T1-GE3 パッケージSOIC

ボリュームディスカウント対象商品

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個	単価	購入単位毎合計*
5 - 120	￥241.60	￥1,208
125 - 1195	￥212.40	￥1,062
1200 - 1595	￥181.00	￥905
1600 - 1995	￥151.40	￥757
2000 +	￥121.60	￥608

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RS品番:: 787-9052
メーカー型番:: SI4925DDY-T1-GE3
メーカー/ブランド名:: Vishay

データシート

製品情報（複数選択可）を選択して、類似製品を検索します。

すべて選択	製品情報	内容
	ブランド	Vishay
	プロダクトタイプ	MOSFET
	チャンネルタイプ	タイプP
	最大連続ドレイン電流Id	8A
	最大ドレイン-ソース間電圧Vds	30V
	シリーズ	TrenchFET
	パッケージ型式	SOIC
	取付タイプ	表面
	ピン数	8
	最大ドレイン-ソース間抵抗Rds	41mΩ
	チャンネルモード	エンハンスメント型
	標準ゲートチャージ Qg @ Vgs	32nC
	動作温度 Min	150°C
	最大許容損失Pd	5W
	最大ゲートソース電圧Vgs	20 V
	動作温度 Max	-55°C
	トランジスタ構成	分離式
	規格 / 承認	No
	長さ	5mm
	高さ	1.5mm
	幅	4 mm
	1チップ当たりのエレメント数	2
	自動車規格	なし

	すべて選択
	ブランド Vishay
	プロダクトタイプ MOSFET
	チャンネルタイプタイプP
	最大連続ドレイン電流Id 8A
	最大ドレイン-ソース間電圧Vds 30V
	シリーズ TrenchFET
	パッケージ型式 SOIC
	取付タイプ表面
	ピン数 8
	最大ドレイン-ソース間抵抗Rds 41mΩ
	チャンネルモードエンハンスメント型
	標準ゲートチャージ Qg @ Vgs 32nC
	動作温度 Min 150°C
	最大許容損失Pd 5W
	最大ゲートソース電圧Vgs 20 V
	動作温度 Max -55°C
	トランジスタ構成分離式
	規格 / 承認 No
	長さ 5mm
	高さ 1.5mm
	幅 4 mm
	1チップ当たりのエレメント数 2
	自動車規格なし

2 Vishay MOSFET 分離式, タイプPチャンネル, 8 A, 表面 30 V, 8-Pin エンハンスメント型, SI4925DDY-T1-GE3 パッケージSOIC

デュアルPチャンネルMOSFET、Vishay Semiconductor

MOSFETトランジスタ、Vishay Semiconductor

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