Vishay MOSFET, タイプNチャンネル 100 V, 18 A エンハンスメント型, 表面, 8-Pin パッケージSOIC, SI4190ADY-T1-GE3

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梱包形態
RS品番:
787-9235
メーカー型番:
SI4190ADY-T1-GE3
メーカー/ブランド名:
Vishay
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ブランド

Vishay

プロダクトタイプ

MOSFET

チャンネルタイプ

タイプN

最大連続ドレイン電流Id

18A

最大ドレイン-ソース間電圧Vds

100V

シリーズ

Si4190ADY

パッケージ型式

SOIC

取付タイプ

表面

ピン数

8

最大ドレイン-ソース間抵抗Rds

2.2Ω

チャンネルモード

エンハンスメント型

順方向電圧 Vf

1.1V

動作温度 Min

-55°C

標準ゲートチャージ Qg @ Vgs

44.4nC

最大許容損失Pd

6W

最大ゲートソース電圧Vgs

20 V

動作温度 Max

150°C

長さ

5mm

規格 / 承認

No

高さ

1.5mm

幅

4 mm

自動車規格

なし

NチャンネルMOSFET、100 → 150 V、Vishay Semiconductor


MOSFETトランジスタ、Vishay Semiconductor


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