onsemi MOSFET, N, Pチャンネル, 220 mA, 410 mA, 表面実装, 6 ピン, FDG6322C

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RS品番:
739-0183
メーカー型番:
FDG6322C
メーカー/ブランド名:
onsemi
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ブランド

onsemi

チャンネルタイプ

N, P

最大連続ドレイン電流

220 mA, 410 mA

最大ドレイン-ソース間電圧

25 V

パッケージタイプ

SOT-363

実装タイプ

表面実装

ピン数

6

最大ドレイン-ソース間抵抗

1.9 Ω, 7 Ω

チャンネルモード

エンハンスメント型

最低ゲートしきい値電圧

0.65V

最大パワー消費

300 mW

トランジスタ構成

絶縁型

最大ゲート-ソース間電圧

-8 V, +8 V

標準ゲートチャージ @ Vgs

0.29 nC @ 4.5 V、1.1 nC @ 5 V

動作温度 Max

+150 °C

長さ

2mm

1チップ当たりのエレメント数

2

幅

1.25mm

トランジスタ素材

Si

動作温度 Min

-55 °C

高さ

1mm

強化モードデュアルMOSFET、Fairchild Semiconductor


強化モードの電界効果トランジスタは、Fairchild独自規格の高セル密度、DMOS技術を使用して製造されています。 この超高密度プロセスは、オン状態抵抗を最小化するように設計されているので、堅牢かつ信頼できる性能と高速スイッチングを発揮します。

受注確定後にお客様専用製品として商品化されるため、発注後のキャンセル・返品はお受けできません。



MOSFET トランジスタ、 ON Semi


ON Semi は、高電圧>（ 250 V ）<タイプと低電圧（ 250 V ）タイプを含む、充実した MOSFET デバイスポートフォリオを提供しています。高度なシリコン技術により、複数の業界標準に組み込まれ、熱耐性強化パッケージに収納された小さなダイサイズが実現します。
ON Semi MOSFET は、電圧スパイクの低減とオーバーシュート、ジャンクション容量の低減と逆回復電荷に対する設計の信頼性に優れており、追加の外部コンポーネントを排除してシステムの稼働時間を延長します。

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