STMicroelectronics MOSFET, Nチャンネル, シングル, 650 V, 4.5 A, 1.2 Ω, 3ピン, パッケージ：TO-263
- RS品番:
- 786-3580
- メーカー型番:
- STB6N60M2
- メーカー/ブランド名:
- STMicroelectronics
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- RS品番:
- 786-3580
- メーカー型番:
- STB6N60M2
- メーカー/ブランド名:
- STMicroelectronics
仕様
データシート
その他
詳細情報
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すべて選択 | 製品情報 | 内容 |
|---|---|---|
| ブランド | STMicroelectronics | |
| プロダクトタイプ | MOSFET | |
| チャンネルタイプ | N | |
| トランジスタ構成 | シングル | |
| 最大ドレイン-ソース間電圧(Vds) | 650 V | |
| 最大連続ドレイン電流(Id) | 4.5 A | |
| 最大ドレイン-ソース間抵抗(Rds) | 1.2 Ω | |
| ピン数 | 3 | |
| パッケージ型式 | TO-263 | |
| チャンネルモード | エンハンスメント型 | |
| 高さ | 9.35 mm | |
| 長さ | 10.4 mm | |
| 最大ゲートソース電圧(Vgs) | 25 V, -25 V | |
| 動作温度 (Max) | 150 °C | |
| 最大許容損失(Pd) | 60 W | |
| 動作温度 (Min) | -55 °C | |
| 取付タイプ | 表面 | |
| 1チップ当たりのエレメント数 | 1 | |
| シリーズ | MDmesh M2 | |
| 幅 | 4.6 mm | |
| すべて選択 | ||
|---|---|---|
ブランド STMicroelectronics | ||
プロダクトタイプ MOSFET | ||
チャンネルタイプ N | ||
トランジスタ構成 シングル | ||
最大ドレイン-ソース間電圧(Vds) 650 V | ||
最大連続ドレイン電流(Id) 4.5 A | ||
最大ドレイン-ソース間抵抗(Rds) 1.2 Ω | ||
ピン数 3 | ||
パッケージ型式 TO-263 | ||
チャンネルモード エンハンスメント型 | ||
高さ 9.35 mm | ||
長さ 10.4 mm | ||
最大ゲートソース電圧(Vgs) 25 V, -25 V | ||
動作温度 (Max) 150 °C | ||
最大許容損失(Pd) 60 W | ||
動作温度 (Min) -55 °C | ||
取付タイプ 表面 | ||
1チップ当たりのエレメント数 1 | ||
シリーズ MDmesh M2 | ||
幅 4.6 mm | ||
N-channel MDmesh™ M2 Series, STMicroelectronics
A range of high-voltage power MOSFETs from STMicroelecronics. With their low gate charge and excellent output capacitance characteristics, the MDmesh M2 series are perfect for use in resonant-type switching supplies (LLC converters).
MOSFET Transistors, STMicroelectronics
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