型番

2 onsemi パワーMOSFET 分離式, タイプNチャンネル, 4 A, 表面 30 V, 8-Pin エンハンスメント型, NTMD4N03R2G パッケージSOIC

RS品番:: 780-0674
メーカー型番:: NTMD4N03R2G
メーカー/ブランド名:: onsemi

2 onsemi パワーMOSFET 分離式, タイプNチャンネル, 4 A, 表面 30 V, 8-Pin エンハンスメント型, NTMD4N03R2G パッケージSOIC

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150 - 1190	￥105.30	￥1,053
1200 - 1590	￥92.80	￥928
1600 - 1990	￥81.30	￥813
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RS品番:: 780-0674
メーカー型番:: NTMD4N03R2G
メーカー/ブランド名:: onsemi

仕様

データシート

その他

詳細情報

製品情報（複数選択可）を選択して、類似製品を検索します。

すべて選択	製品情報	内容
	ブランド	onsemi
	チャンネルタイプ	タイプN
	プロダクトタイプ	パワーMOSFET
	最大連続ドレイン電流Id	4A
	最大ドレイン-ソース間電圧Vds	30V
	パッケージ型式	SOIC
	取付タイプ	表面
	ピン数	8
	最大ドレイン-ソース間抵抗Rds	80mΩ
	チャンネルモード	エンハンスメント型
	標準ゲートチャージ Qg @ Vgs	8nC
	順方向電圧 Vf	0.82V
	動作温度 Min	150°C
	最大ゲートソース電圧Vgs	20 V
	最大許容損失Pd	2W
	動作温度 Max	-55°C
	トランジスタ構成	分離式
	規格 / 承認	No
	幅	4 mm
	高さ	1.5mm
	長さ	5mm
	1チップ当たりのエレメント数	2
	自動車規格	AEC-Q101

	すべて選択
	ブランド onsemi
	チャンネルタイプタイプN
	プロダクトタイプパワーMOSFET
	最大連続ドレイン電流Id 4A
	最大ドレイン-ソース間電圧Vds 30V
	パッケージ型式 SOIC
	取付タイプ表面
	ピン数 8
	最大ドレイン-ソース間抵抗Rds 80mΩ
	チャンネルモードエンハンスメント型
	標準ゲートチャージ Qg @ Vgs 8nC
	順方向電圧 Vf 0.82V
	動作温度 Min 150°C
	最大ゲートソース電圧Vgs 20 V
	最大許容損失Pd 2W
	動作温度 Max -55°C
	トランジスタ構成分離式
	規格 / 承認 No
	幅 4 mm
	高さ 1.5mm
	長さ 5mm
	1チップ当たりのエレメント数 2
	自動車規格 AEC-Q101

2 onsemi パワーMOSFET 分離式, タイプNチャンネル, 4 A, 表面 30 V, 8-Pin エンハンスメント型, NTMD4N03R2G パッケージSOIC

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デュアルNチャンネルMOSFET、ON Semiconductor

MOSFETトランジスタ、ON Semiconductor

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