Infineon MOSFET, タイプPチャンネル 60 V, 1.9 A エンハンスメント型, 表面, 4-Pin パッケージSOT-223, BSP171PH6327XTSA1

MOSFET・モスフェット の一覧へ
ボリュームディスカウント対象商品

1 袋(1袋10個入り) 小計：*

￥1,127.00

(税抜)

￥1,239.70

(税込)

Add to Basket
数量を選択または入力
在庫あり
  • 10 は海外在庫あり
  • 20,630 は 2026年1月02日 に入荷予定
「配達日を確認」をクリックすると、在庫と配送の詳細が表示されます。
個
単価
購入単位毎合計*
10 - 40￥112.70￥1,127
50 - 440￥99.10￥991
450 - 590￥86.70￥867
600 - 790￥74.00￥740
800 +￥60.40￥604

* 表示は参考価格です。ご購入数量によって価格は変動します。なお、上記数量を大きく超える大量ご購入の際は右下チャットからお問合せください。

梱包形態
RS品番:
167-942
メーカー型番:
BSP171PH6327XTSA1
メーカー/ブランド名:
インフィニオン
製品情報（複数選択可）を選択して、類似製品を検索します。
すべて選択

ブランド

インフィニオン

プロダクトタイプ

MOSFET

チャンネルタイプ

タイプP

最大連続ドレイン電流Id

1.9A

最大ドレイン-ソース間電圧Vds

60V

シリーズ

SIPMOS

パッケージ型式

SOT-223

取付タイプ

表面

ピン数

4

最大ドレイン-ソース間抵抗Rds

300mΩ

チャンネルモード

エンハンスメント型

動作温度 Min

-55°C

最大許容損失Pd

1.8W

標準ゲートチャージ Qg @ Vgs

13nC

最大ゲートソース電圧Vgs

20 V

順方向電圧 Vf

-1.1V

動作温度 Max

150°C

幅

3.5 mm

高さ

1.6mm

規格 / 承認

No

長さ

6.5mm

Distrelec Product Id

304-36-976

自動車規格

AEC-Q101

インフィニオンSIPMOS®シリーズ MOSFET、最大連続ドレイン電流1.9A、最大許容損失1.8W - BSP171PH6327XTSA1


このMOSFETは、Pチャネル技術を利用した高性能スイッチング・アプリケーション用に設計されています。SIPMOS®技術により、コンパクトなSOT-223パッケージで信頼性の高い動作を保証し、車載および産業用アプリケーションに適した選択肢となります。1.9Aの連続ドレイン電流定格と60Vの最大電圧は、さまざまな用途で電力を効率的に管理する効果を高める。

特徴と利点


• Pチャンネル構成がローサイド・スイッチング・アプリケーションをサポート

• エンハンスメント・モードが効率的なパフォーマンスを促進

• 表面実装設計により貴重なPCBスペースを節約

• 150℃までの高温に対応し、耐久性を確保

• 低Rds(on)でスイッチング時の電力損失を低減

用途


• カーエレクトロニクスにおける負荷スイッチング

• エネルギー効率を高める電源管理回路

• 高周波 迅速な切り替えが必要

• 民生用電子機器の駆動負荷

• コンパクトなソリューションが必要な電源回路

この部品が扱えるドレイン・ソース間電圧の最大値は？


この部品は最大60Vのドレイン・ソース間電圧に耐えることができ、さまざまな用途に適している。

この部品の高温での性能は？


最高+150℃の温度で効果的に動作し、厳しい環境でも性能を発揮する。

バッテリー駆動の回路に使用できますか？


そう、Rds(on)が低いため電力損失が大幅に削減され、バッテリー駆動の機器に適しているのだ。

雪崩の格付けの意味は？


アバランシェ規格は、デバイスがエネルギースパイクを吸収できることを示し、過渡現象時の耐久性と信頼性を高める。

プリント基板に正しく取り付けるにはどうしたらいいですか？


SOT-223パッケージの寸法仕様に従い、取り付け時に適切な熱管理を行うことが重要です。

関連ページ