Infineon Pチャンネル MOSFET40 V 90 A 表面実装 パッケージDPAK (TO-252) 3 ピン
- RS品番:
- 827-5221
- メーカー型番:
- IPD90P04P405ATMA1
- メーカー/ブランド名:
- Infineon
取扱終了
- RS品番:
- 827-5221
- メーカー型番:
- IPD90P04P405ATMA1
- メーカー/ブランド名:
- Infineon
その他
RoHSステータス: 対象外
詳細情報
Infineon OptiMOS ™ P チャネルパワーMOSFET
Infineon OptiMOS の機能 ™ P チャネルパワー MOSFET は、高品質の性能を発揮する強化機能を提供するように設計されています。超低スイッチング損失、オン状態抵抗、アバランシェ定格、自動車ソリューション向けの AEC 認定などの機能を備えています。DC-DC 、モータ制御、自動車、 eMobility などの用途に適しています。
エンハンスメントモード
アバランシェ定格
スイッチングロスと導電損失が低い
無鉛めっき、RoHS準拠
標準パッケージ
OptiMOS™ Pチャンネルシリーズ: -55 → +175 ℃の温度範囲
アバランシェ定格
スイッチングロスと導電損失が低い
無鉛めっき、RoHS準拠
標準パッケージ
OptiMOS™ Pチャンネルシリーズ: -55 → +175 ℃の温度範囲
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MOSFETトランジスタ、Infineon
Infineonでは、CoolMOS、OptiMOS、StrongIRFETの各ファミリをはじめ、MOSFETデバイスの幅広く包括的な製品ラインを取り揃えています。効率、電力密度、及びコスト効果を高めるためにクラス最高の性能を実現しています。高い品質と強化された保護機能が求められる設計では、AEC-Q101車載用規格に適合するMOSFETが活用されます。
仕様
特性 | |
|---|---|
| チャンネルタイプ | P |
| 最大連続ドレイン電流 | 90 A |
| 最大ドレイン-ソース間電圧 | 40 V |
| パッケージタイプ | DPAK (TO-252) |
| 実装タイプ | 表面実装 |
| ピン数 | 3 |
| 最大ドレイン-ソース間抵抗 | 4.7 mΩ |
| チャンネルモード | エンハンスメント型 |
| 最大ゲートしきい値電圧 | 4V |
| 最低ゲートしきい値電圧 | 2V |
| 最大パワー消費 | 125 W |
| トランジスタ構成 | シングル |
| 最大ゲート-ソース間電圧 | -20 V, +20 V |
| 動作温度 Max | +175 °C |
| 長さ | 6.73mm |
| 標準ゲートチャージ @ Vgs | 118 nC @ 10 V |
| トランジスタ素材 | Si |
| 幅 | 6.22mm |
| 1チップ当たりのエレメント数 | 1 |
| シリーズ | OptiMOS P |
| 動作温度 Min | -55 °C |
| 高さ | 2.41mm |
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