Vishay MOSFET, タイプNチャンネル 60 V, 8.5 A エンハンスメント型, 表面, 8-Pin パッケージSOIC, SI4850EY-T1-GE3

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梱包形態
RS品番:
787-9014
メーカー型番:
SI4850EY-T1-GE3
メーカー/ブランド名:
Vishay
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ブランド

Vishay

プロダクトタイプ

MOSFET

チャンネルタイプ

タイプN

最大連続ドレイン電流Id

8.5A

最大ドレイン-ソース間電圧Vds

60V

パッケージ型式

SOIC

シリーズ

Si4850EY

取付タイプ

表面

ピン数

8

最大ドレイン-ソース間抵抗Rds

47mΩ

チャンネルモード

エンハンスメント型

動作温度 Min

-55°C

順方向電圧 Vf

1.2V

標準ゲートチャージ Qg @ Vgs

18nC

最大許容損失Pd

3.3W

最大ゲートソース電圧Vgs

20 V

動作温度 Max

150°C

規格 / 承認

No

幅

4 mm

高さ

1.5mm

長さ

5mm

自動車規格

なし

受注確定後にお客様専用製品として商品化されるため、発注後のキャンセル・返品はお受けできません。


NチャンネルMOSFET、60 → 90 V、Vishay Semiconductor


MOSFETトランジスタ、Vishay Semiconductor


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