Infineon MOSFET, タイプNチャンネル 200 V, 9.3 A エンハンスメント型, スルーホール, 3-Pin パッケージTO-220
- RS品番:
- 919-5025
- メーカー型番:
- IRF630NPBF
- メーカー/ブランド名:
- インフィニオン
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|---|---|---|
| 50 - 200 | ¥79.70 | ¥3,985 |
| 250 - 450 | ¥78.44 | ¥3,922 |
| 500 - 1200 | ¥73.98 | ¥3,699 |
| 1250 - 2450 | ¥72.12 | ¥3,606 |
| 2500 + | ¥69.60 | ¥3,480 |
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- RS品番:
- 919-5025
- メーカー型番:
- IRF630NPBF
- メーカー/ブランド名:
- インフィニオン
仕様
データシート
その他
詳細情報
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すべて選択 | 製品情報 | 内容 |
|---|---|---|
| ブランド | インフィニオン | |
| チャンネルタイプ | タイプN | |
| プロダクトタイプ | MOSFET | |
| 最大連続ドレイン電流Id | 9.3A | |
| 最大ドレイン-ソース間電圧Vds | 200V | |
| シリーズ | HEXFET | |
| パッケージ型式 | TO-220 | |
| 取付タイプ | スルーホール | |
| ピン数 | 3 | |
| 最大ドレイン-ソース間抵抗Rds | 300mΩ | |
| チャンネルモード | エンハンスメント型 | |
| 動作温度 Min | -55°C | |
| 最大ゲートソース電圧Vgs | 20 V | |
| 最大許容損失Pd | 82W | |
| 標準ゲートチャージ Qg @ Vgs | 35nC | |
| 順方向電圧 Vf | 1.3V | |
| 動作温度 Max | 175°C | |
| 規格 / 承認 | No | |
| 高さ | 8.77mm | |
| 長さ | 10.54mm | |
| 幅 | 4.69 mm | |
| 自動車規格 | なし | |
| すべて選択 | ||
|---|---|---|
ブランド インフィニオン | ||
チャンネルタイプ タイプN | ||
プロダクトタイプ MOSFET | ||
最大連続ドレイン電流Id 9.3A | ||
最大ドレイン-ソース間電圧Vds 200V | ||
シリーズ HEXFET | ||
パッケージ型式 TO-220 | ||
取付タイプ スルーホール | ||
ピン数 3 | ||
最大ドレイン-ソース間抵抗Rds 300mΩ | ||
チャンネルモード エンハンスメント型 | ||
動作温度 Min -55°C | ||
最大ゲートソース電圧Vgs 20 V | ||
最大許容損失Pd 82W | ||
標準ゲートチャージ Qg @ Vgs 35nC | ||
順方向電圧 Vf 1.3V | ||
動作温度 Max 175°C | ||
規格 / 承認 No | ||
高さ 8.77mm | ||
長さ 10.54mm | ||
幅 4.69 mm | ||
自動車規格 なし | ||
インフィニオンHEXFETシリーズ MOSFET、最大連続ドレイン電流9.3A、最大許容損失82W - IRF630NPBF
このNチャンネルMOSFETは、オートメーションおよびエレクトロニクス分野のさまざまな用途向けに設計されています。高性能システムに不可欠な最適な電力消費能力と効率的な性能を提供する。最大ドレイン・ソース間電圧200V、連続ドレイン電流9.3Aで、厳しい電子環境でも信頼性の高い動作を保証します。
特徴と利点
• 高い定格電力で幅広い電気用途に対応
• 効率的な設計により熱抵抗を低減し、効果的な冷却を実現
• 高速スイッチング速度が動的システムのパフォーマンスを向上
• シンプルな駆動要件が回路統合を支援
• 完全に雪崩に対応し、険しいコンディションに適している。
用途
• 安定した電圧レギュレーションを維持するため、産業用電源に利用されている
• 効率的な機能を実現するモーター制御システムに採用
• DC-DCコンバーターやパワーマネージメント回路に最適
• HVACシステムでコンプレッサーモーターの制御に使用
• 再生可能エネルギーシステムに適しており、電力効率を高める
印加可能な最大ゲート・ソース間電圧は?
最大ゲート・ソース間電圧は±20Vで、さまざまな回路設計との互換性を確保している。
動作中の熱放散はどうなっていますか?
放熱能力は82Wで、使用中の効率的な熱管理を可能にする。
最適なパフォーマンスを得るために推奨される特定のマウントタイプはありますか?
このMOSFETは、信頼性の高い熱管理と電気的接続性を促進するスルーホール実装を目的としています。
