クロックバッファは、クロック信号をファンアウトし、負荷からソースを分離する半導体デバイスです。クロックバッファは、複数の制御可能な出力と、出力又は入力 / 出力用の独立した電源を備え、レベルシフタとして動作することが知られています。
クロックバッファは、基板全体に分配するために入力クロックの複数のコピーを作成するデバイスクロックバッファです。シングルエンド出力バッファと差動出力で構成されています。シングルエンド出力クロックバッファはLVCMOS (低電圧相補型金属酸化膜半導体)で、差動出力バッファはLVPECL (低電圧正エミッタ結合ロジック)、 HSTL (高速トランシーバロジック)、又はLVDS (低電圧差動信号)です。
クロックバッファは、入力信号の周波数特性を変更しません。これにより、バッファリング段階で入力に加わるノイズが最小限に抑えられます。
クロックバッファにはさまざまな種類があります。最大動作入力周波数が30 MHz → 8 GHzで、 サポート可能な最大供給電流及びICピン数の異なるモデルを各種取り揃えています。
一部のクロックバッファは、超低ジッター及び低スキュークロック分配を特長としています。
クロックバッファは、次のような用途で広く使用されています。