Infineon FRAMメモリ, 64kbit, SOIC, シリアル-I2C, FM31L276-G

プロセッサベースのシステムに最も必要とされる機能を集めた集積デバイスです。

シリアル不揮発性FRAMメモリ
リアルタイムクロック(RTC)
低電圧リセット
ウォッチドッグタイマ
早期電源障害警告 / NMI
16ビットイベントカウンタ x 2
セキュリティのための書き込み禁止シリアル番号
バッテリ駆動に切り替え
イベントカウンタトラッキング
I²Cインターフェイス

64 K ビット / 256 K ビット強誘電体ランダムアクセスメモリ（ F-RAM ）
8 K x 8 （ FM31L276 ） / として論理的に構成されています
32K x 8 （ FM31L278 ）
高耐久性： 100 兆（ 1014 ）の読み取り / 書き込み
151 年間のデータ保持
NODELAY ™書き込み
Advanced の高信頼性強誘電体プロセス
高集積デバイスは複数のパーツに取って代わるものです
シリアル不揮発性メモリ
リアルタイムクロック(RTC)
低電圧リセット
ウォッチドッグタイマ
早期電源障害警告 / NMI
2 つの 16 ビットイベントカウンタ
セキュリティのための書き込みロック付きシリアル番号
リアルタイムクロック / カレンダー
バックアップ電流 @ 2 V ： 1.15  A @ +25 ° C
BCD 形式の秒から世紀
Leap year を 2099 まで追跡します
標準の 32.768 kHz 水晶（ 6 pF / 12.5 pF ）を使用
ソフトウェアキャリブレーション
バッテリ又はコンデンサのバックアップに対応
プロセッサコンパニオン
VDD 及びウォッチドッグ用のアクティブローリセット出力です
プログラム可能な低 VDD リセットトリップポイント
手動リセットのフィルタ処理とデバウンス
プログラム可能なウォッチドッグタイマです
デュアルバッテリバックアップイベントカウンタは、システムへの侵入やその他のイベントを追跡します
パワーフェイル割り込み用のコンパレータです
ロック付きの 64 ビットプログラマブルシリアル番号
高速 2 線シリアルインターフェイス（ I2C ）
周波数：最大 1 MHz
従来の 100 kHz と 400 kHz のタイミングをサポートします
RTC 、 I 経由で制御されたスーパーバイザ
2C インターフェイス
デバイス選択ピンは、最大 4 つのメモリデバイスに対応します
低消費電力
アクティブ電流： 1.5 mA @ 1 MHz
120  A スタンバイ電流
動作電圧： VDD = 2.7 → 3.6 V
産業温度： -40 ° C → +85 ° C

受注確定後にお客様専用製品として商品化されるため、発注後のキャンセル・返品はお受けできません。