onsemi Q0BOOST IGBTモジュール, Nチャンネル 1200 V, 22-Pin

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RS品番:
195-8770
メーカー型番:
NXH100B120H3Q0STG
メーカー/ブランド名:
onsemi
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ブランド

onsemi

最大コレクタ- エミッタ間電圧

1200 V

最大ゲート-エミッタ間電圧

±20V

最大パワー消費

186 W

回路構成

デュアル

パッケージタイプ

Q0BOOST

実装タイプ

表面実装

チャンネルタイプ

N

ピン数

22

トランジスタ構成

デュアル

寸法

66.2 x 32.8 x 11.9mm

動作温度 Min

-40 °C

動作温度 Max

+150 °C

NXH100B120H3Q0はデュアルブースト段を含む電源モジュールで、2つの50A / 1200 V IGBT、2つの20A / 1200 V SiCダイオード、IGBT用の2つの25 A / 1600 V逆並列ダイオードで構成されています。突入電流制限用として、さらに2つの25 A / 1600 Vバイパス整流器が含まれています。また、オンボードサーミスタが含まれています。

IGBTの仕様: VCE (SAT) = 1.77 V、ESW = 2180 uJ
高速IGBTと低VCE (SAT)で高効率
25 A / 1600 Vバイパス及び逆並列ダイオード
低VFバイパスダイオードはバイパスモードで優れた効率
SiC整流器の仕様: VF = 1.44 V
高速スイッチング用のSiCダイオード
はんだピン及び押し込み式ピンオプションを用意しています
フレキシブルな取り付け方法
用途
MPPT ブーストステージ
バッテリー充電器ブーストステージ

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