onsemi Q0BOOST IGBTモジュール, Nチャンネル 1200 V, 22-Pin

NXH100B120H3Q0はデュアルブースト段を含む電源モジュールで、2つの50A / 1200 V IGBT、2つの20A / 1200 V SiCダイオード、IGBT用の2つの25 A / 1600 V逆並列ダイオードで構成されています。突入電流制限用として、さらに2つの25 A / 1600 Vバイパス整流器が含まれています。また、オンボードサーミスタが含まれています。

IGBTの仕様: VCE (SAT) = 1.77 V、ESW = 2180 uJ
高速IGBTと低VCE (SAT)で高効率
25 A / 1600 Vバイパス及び逆並列ダイオード
低VFバイパスダイオードはバイパスモードで優れた効率
SiC整流器の仕様: VF = 1.44 V
高速スイッチング用のSiCダイオード
はんだピン及び押し込み式ピンオプションを用意しています
フレキシブルな取り付け方法
用途
MPPT ブーストステージ
バッテリー充電器ブーストステージ

受注確定後にお客様専用製品として商品化されるため、発注後のキャンセル・返品はお受けできません。