Infineon MOSFET, タイプNチャンネル 40 V, 610 A エンハンスメント型, 表面, 9-Pin パッケージPG-TTFN-9, IQD005N04NM6CGATMA1

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RS品番:
284-925
メーカー型番:
IQD005N04NM6CGATMA1
メーカー/ブランド名:
インフィニオン
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ブランド

インフィニオン

プロダクトタイプ

MOSFET

チャンネルタイプ

タイプN

最大連続ドレイン電流Id

610A

最大ドレイン-ソース間電圧Vds

40V

シリーズ

OptiMOS

パッケージ型式

PG-TTFN-9

取付タイプ

表面

ピン数

9

最大ドレイン-ソース間抵抗Rds

0.47mΩ

チャンネルモード

エンハンスメント型

最大許容損失Pd

333W

動作温度 Min

-55°C

最大ゲートソース電圧Vgs

20 V

標準ゲートチャージ Qg @ Vgs

129nC

順方向電圧 Vf

1V

動作温度 Max

175°C

規格 / 承認

RoHS, IEC61249-2-21, JEDEC

自動車規格

なし

インフィニオンMOSFETは、OptiMOS 6パワートランジスタを備え、卓越した性能と堅牢な信頼性を兼ね備えており、要求の厳しい用途に最適な選択肢です。このNチャンネルMOSFETは、産業環境向けに設計されており、最大40Vのドレインソース電圧と最大610Aの優れた連続ドレイン定格電流を提供します。この半導体デバイスは、熱管理に優れているため、高温および高電力設定に最適で、長寿命と負荷下での一貫した性能を促進します。エコフレンドリーに対するコミットメントにより、RoHS準拠でハロゲンフリーで、現代の環境規格に適合しながら優れたエンジニアリング品質を実現しています。

信頼性を高める卓越した耐熱性

高ストレス環境での堅牢な性能

安全に関する100%アバランチテスト済み

電力管理における優れた効率

環境規制に準拠

高周波動作に最小限のスイッチング損失

コンパクト設計により基板スペースを削減

産業システムに簡単に統合

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