Vishay パワーMOSFET, タイプNチャンネル 600 V, 21 A エンハンスメント型, スルーホール, 3-Pin パッケージTO-263, SIHB155N60EF-GE3
- RS品番:
- 653-175
- メーカー型番:
- SIHB155N60EF-GE3
- メーカー/ブランド名:
- Vishay
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- 653-175
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- SIHB155N60EF-GE3
- メーカー/ブランド名:
- Vishay
仕様
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すべて選択 | 製品情報 | 内容 |
|---|---|---|
| ブランド | Vishay | |
| チャンネルタイプ | タイプN | |
| プロダクトタイプ | パワーMOSFET | |
| 最大連続ドレイン電流Id | 21A | |
| 最大ドレイン-ソース間電圧Vds | 600V | |
| パッケージ型式 | TO-263 | |
| シリーズ | EF | |
| 取付タイプ | スルーホール | |
| ピン数 | 3 | |
| 最大ドレイン-ソース間抵抗Rds | 0.159Ω | |
| チャンネルモード | エンハンスメント型 | |
| 順方向電圧 Vf | 1.2V | |
| 最大許容損失Pd | 179W | |
| 動作温度 Min | -55°C | |
| 最大ゲートソース電圧Vgs | 30V | |
| 標準ゲートチャージ Qg @ Vgs | 25nC | |
| 動作温度 Max | 150°C | |
| 幅 | 9.65mm | |
| 規格 / 承認 | RoHS | |
| 長さ | 2.79mm | |
| 自動車規格 | なし | |
| すべて選択 | ||
|---|---|---|
ブランド Vishay | ||
チャンネルタイプ タイプN | ||
プロダクトタイプ パワーMOSFET | ||
最大連続ドレイン電流Id 21A | ||
最大ドレイン-ソース間電圧Vds 600V | ||
パッケージ型式 TO-263 | ||
シリーズ EF | ||
取付タイプ スルーホール | ||
ピン数 3 | ||
最大ドレイン-ソース間抵抗Rds 0.159Ω | ||
チャンネルモード エンハンスメント型 | ||
順方向電圧 Vf 1.2V | ||
最大許容損失Pd 179W | ||
動作温度 Min -55°C | ||
最大ゲートソース電圧Vgs 30V | ||
標準ゲートチャージ Qg @ Vgs 25nC | ||
動作温度 Max 150°C | ||
幅 9.65mm | ||
規格 / 承認 RoHS | ||
長さ 2.79mm | ||
自動車規格 なし | ||
Vishay EFシリーズパワーMOSFET、最大ドレインソース電圧600 V、最大連続ドレイン電流21 A - SIHB155N60EF-GE3
このパワーMOSFETは、産業用電子機器の電力変換と制御用に設計された高電圧Nチャンネルスイッチングデバイスです。スルーホール取り付けに適したエンハンスメントモードトランジスタとして動作し、高電圧と高電流での堅牢なスイッチングを必要とする用途向けに設計されています。
特長：
• 600 Vのドレイン定格により、高電圧スイッチング用途を実現 • 21 Aの連続ドレイン電流により、大幅な負荷処理をサポート • 0. 159 Ω Rds(on)により、伝導損失を低減し、効率的な動作を実現 • 179 Wの消費電力により、持続的な熱負荷管理が可能 • 25 nC標準ゲート充電により、迅速なスイッチングトランジションを実現 • 30 Vの最大ゲート許容差により、一般的なゲートドライブ電圧を実現
用途
• オートメーション機器の高電圧電源に最適 • スルーホールコンポーネントを必要とするモータドライブステージに最適 • 高消散性の産業用スイッチング電源に使用 • 電気システムの電力変換モジュールに使用可能 • スルーホール部品を必要とするプロトタイピングおよびサービス可能な設備に最適
熱管理にはどのような取り付け要件が適用されますか?
このデバイスは、TO-263スルーホールパッケージを採用し、ヒートシンク又は基板銅面積が大きく、適切な冷却条件下で最大179 Wの消費電力を発揮します。
ゲート充電は、ゲートドライブ設計にどのような影響を与えますか?
定格ゲートドライブで25 nCの標準ゲート電荷は、スイッチング損失に影響し、必要な上昇 / 下降時間のドライバ電流能力を指示します。
運転中に予想される温度範囲は？
このコンポーネントは、-55 °C～150 °Cまで動作するように指定されており、ジャンクション温度を限界内に維持するために適切な熱設計が必要です。
使用中のゲート電圧に制限はありますか?
ゲートソース電圧は30 Vを超えてはならないため、ゲート酸化ストレスを防止し、長期的な信頼性を確保します。
電源の効率にどのような電気的特性が影響しますか?
低Rds(on)と600 Vドレイン機能の組み合わせにより、高電圧コンバータトポロジでの導通損失とスイッチング損失を低減します。
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