Vishay シングルMOSFET, タイプNチャンネル 600 V, 21 A エンハンスメント型, スルーホール, 3-Pin パッケージTO-263, SIHB155N60EF-GE3

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RS品番:
653-175
メーカー型番:
SIHB155N60EF-GE3
メーカー/ブランド名:
Vishay
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ブランド

Vishay

プロダクトタイプ

シングルMOSFET

チャンネルタイプ

タイプN

最大連続ドレイン電流Id

21A

最大ドレイン-ソース間電圧Vds

600V

シリーズ

EF

パッケージ型式

TO-263

取付タイプ

スルーホール

ピン数

3

最大ドレイン-ソース間抵抗Rds

0.159Ω

チャンネルモード

エンハンスメント型

動作温度 Min

-55°C

順方向電圧 Vf

1.2V

最大許容損失Pd

179W

標準ゲートチャージ Qg @ Vgs

25nC

最大ゲートソース電圧Vgs

±30 V

動作温度 Max

150°C

幅

9.65 mm

長さ

2.79mm

規格 / 承認

No

自動車規格

なし

Vishay第4世代EシリーズパワーMOSFETは、スイッチング性能を向上させるための高速ボディダイオードを備えています。低メリット数値(FOM)、効率的静電容量を低減し、熱動作を最適化します。サーバー、通信、SMPS、及びパワーファクタ補正電源向けに設計されており、要求の厳しい電源用途で信頼性の高い効率を発揮します。

鉛フリー

ハロゲンフリー

RoHS指令に準拠

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