Vishay パワーMOSFET, タイプNチャンネル 600 V, 25 A エンハンスメント型, 表面, 3-Pin パッケージTO-263, SIHB125N60EF-GE3

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梱包形態
RS品番:
204-7246
メーカー型番:
SIHB125N60EF-GE3
メーカー/ブランド名:
Vishay
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ブランド

Vishay

チャンネルタイプ

タイプN

プロダクトタイプ

パワーMOSFET

最大連続ドレイン電流Id

25A

最大ドレイン-ソース間電圧Vds

600V

シリーズ

EF

パッケージ型式

TO-263

取付タイプ

表面

ピン数

3

最大ドレイン-ソース間抵抗Rds

125mΩ

チャンネルモード

エンハンスメント型

最大許容損失Pd

179W

順方向電圧 Vf

1.2V

動作温度 Min

-55°C

標準ゲートチャージ Qg @ Vgs

31nC

最大ゲートソース電圧Vgs

30V

動作温度 Max

150°C

規格 / 承認

RoHS

9.65mm

長さ

14.61mm

高さ

4.06mm

自動車規格

なし

Vishay EFシリーズパワーMOSFET、ドレインソース電圧600 V、連続ドレイン電流25 A - SIHB125N60EF-GE3


このパワーMOSFETは、産業用電子機器のスイッチングおよび電力変換用に設計された高電圧Nチャンネル半導体デバイスです。堅牢な電圧処理と高い温度耐性が必要な電源アセンブリでの表面実装用途向けで、オートメーションや電気システムで高電圧と大電流を切り替える用途をサポートします。

特長:


• 600 Vのドレイン定格により、高電圧スイッチング機能を実現 • 25 Aの連続ドレイン電流により、大きな負荷電流をサポート • 125 mΩ Rds(on)により、負荷下での導通損失を低減 • 31 nCの標準ゲート充電により、駆動エネルギー要件を最小限に抑制 • 179 Wの消費電力により、持続的な電力処理が可能 • 最高動作温度150°Cで高温環境をサポート

用途


• 産業用ドライブの高電圧インバータステージに最適 • 高い破壊電圧を必要とする電源に最適 • 数十アンペアを処理するモータコントローラと併用 • ソリッドステートスイッチングでリレー交換に使用可能 • オートメーション機器の電力変換に使用

このデバイスを切り替えるために、どのようなゲート電圧範囲が安全ですか?


このデバイスは、最大30 Vのゲート電圧に対応し、信頼性の高い動作を実現するために最大許容ゲート対ソース電位を指定します。

パッケージの選択は、熱性能にどのように影響しますか?


TO-263パッケージは、熱伝導用の大型サーマルパッドとリードを備え、基板銅やヒートシンクへの熱伝達をサポートし、定格電力損失をサポートします。

運転時の環境制限は?


このコンポーネントは、-55 °Cから最大150 °Cまで動作するように指定されており、設計マージンの許容可能な環境およびジャンクション極端を定義します。

基板レイアウトを考慮するために、どのくらいのピンを用意していますか?


この部品は3ピンを使用し、基板上のドレイン、ソース、ゲートのフットプリントと接続配置を決定します。

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