Vishay シングルMOSFET, タイプNチャンネル 600 V, 51 A エンハンスメント型, PCBマウント, 4-Pin パッケージPowerPAK, SIHM080N60E-T1-GE3

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RS品番:
653-177
メーカー型番:
SIHM080N60E-T1-GE3
メーカー/ブランド名:
Vishay
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ブランド

Vishay

プロダクトタイプ

シングルMOSFET

チャンネルタイプ

タイプN

最大連続ドレイン電流Id

51A

最大ドレイン-ソース間電圧Vds

600V

シリーズ

SIHM080N60E

パッケージ型式

PowerPAK

取付タイプ

PCBマウント

ピン数

4

最大ドレイン-ソース間抵抗Rds

0.084Ω

チャンネルモード

エンハンスメント型

標準ゲートチャージ Qg @ Vgs

42nC

最大許容損失Pd

500W

動作温度 Min

-55°C

順方向電圧 Vf

1.2V

最大ゲートソース電圧Vgs

±30 V

動作温度 Max

150°C

幅

7.9 mm

長さ

8mm

規格 / 承認

No

自動車規格

なし

COO（原産国）:
CN
VishayパワーMOSFETは、要求の厳しい用途での高効率スイッチング向けに設計された第4世代EシリーズMOSFETです。低メリット数値(FOM)、低効果静電容量、最適化された熱性能を備えています。PowerPAK 8 x 8Lにパッケージされたこの製品は、サーバー、通信、SMPS、及びパワーファクタ補正電源に最適です。

鉛フリー

ハロゲンフリー

RoHS指令に準拠

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