Vishay シングルMOSFET, タイプNチャンネル 600 V, 51 A エンハンスメント型, PCBマウント, 4-Pin パッケージPowerPAK
- RS品番:
- 653-178
- メーカー型番:
- SIHM080N60E-T1-GE3
- メーカー/ブランド名:
- Vishay
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- RS品番:
- 653-178
- メーカー型番:
- SIHM080N60E-T1-GE3
- メーカー/ブランド名:
- Vishay
仕様
データシート
その他
詳細情報
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すべて選択 | 製品情報 | 内容 |
|---|---|---|
| ブランド | Vishay | |
| チャンネルタイプ | タイプN | |
| プロダクトタイプ | シングルMOSFET | |
| 最大連続ドレイン電流Id | 51A | |
| 最大ドレイン-ソース間電圧Vds | 600V | |
| シリーズ | SIHM080N60E | |
| パッケージ型式 | PowerPAK | |
| 取付タイプ | PCBマウント | |
| ピン数 | 4 | |
| 最大ドレイン-ソース間抵抗Rds | 0.084Ω | |
| チャンネルモード | エンハンスメント型 | |
| 動作温度 Min | -55°C | |
| 最大ゲートソース電圧Vgs | ±30 V | |
| 順方向電圧 Vf | 1.2V | |
| 最大許容損失Pd | 500W | |
| 標準ゲートチャージ Qg @ Vgs | 42nC | |
| 動作温度 Max | 150°C | |
| 長さ | 8mm | |
| 幅 | 7.9 mm | |
| 規格 / 承認 | No | |
| 自動車規格 | なし | |
| すべて選択 | ||
|---|---|---|
ブランド Vishay | ||
チャンネルタイプ タイプN | ||
プロダクトタイプ シングルMOSFET | ||
最大連続ドレイン電流Id 51A | ||
最大ドレイン-ソース間電圧Vds 600V | ||
シリーズ SIHM080N60E | ||
パッケージ型式 PowerPAK | ||
取付タイプ PCBマウント | ||
ピン数 4 | ||
最大ドレイン-ソース間抵抗Rds 0.084Ω | ||
チャンネルモード エンハンスメント型 | ||
動作温度 Min -55°C | ||
最大ゲートソース電圧Vgs ±30 V | ||
順方向電圧 Vf 1.2V | ||
最大許容損失Pd 500W | ||
標準ゲートチャージ Qg @ Vgs 42nC | ||
動作温度 Max 150°C | ||
長さ 8mm | ||
幅 7.9 mm | ||
規格 / 承認 No | ||
自動車規格 なし | ||
- COO(原産国):
- CN
VishayパワーMOSFETは、要求の厳しい用途での高効率スイッチング向けに設計された第4世代EシリーズMOSFETです。低メリット数値(FOM)、低効果静電容量、最適化された熱性能を備えています。PowerPAK 8 x 8Lにパッケージされたこの製品は、サーバー、通信、SMPS、及びパワーファクタ補正電源に最適です。
鉛フリー
ハロゲンフリー
RoHS指令に準拠
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