Vishay パワーMOSFET, Nチャンネル, 600 V, 51 A, 0.084 Ω, 42 nC, 4ピン, パッケージ：PowerPAK
- RS品番:
- 653-178
- メーカー型番:
- SIHM080N60E-T1-GE3
- メーカー/ブランド名:
- Vishay
ボリュームディスカウント対象商品
一括購入価格オプションを表示1 個(1個1個入り) 小計：*
￥1,219
(税抜)
￥1,341
(税込)
3,000円を超える注文については、送料無料
在庫あり
- 2,000 は海外在庫あり
「配達日を確認」をクリックすると、在庫と配送の詳細が表示されます。
トレイ | 購入単位毎合計 |
|---|---|
| 1 - 9 | ￥1,219 |
| 10 - 49 | ￥1,184 |
| 50 - 99 | ￥1,147 |
| 100 + | ￥988 |
* 表示は参考価格です。ご購入数量によって価格は変動します。なお、上記数量を大きく超える大量ご購入の際は右下チャットからお問合せください。
- RS品番:
- 653-178
- メーカー型番:
- SIHM080N60E-T1-GE3
- メーカー/ブランド名:
- Vishay
仕様
データシート
その他
詳細情報
製品情報（複数選択可）を選択して、類似製品を検索します。
すべて選択 | 製品情報 | 内容 |
|---|---|---|
| ブランド | Vishay | |
| プロダクトタイプ | パワーMOSFET | |
| チャンネルタイプ | N | |
| 最大連続ドレイン電流Id | 51A | |
| 最大ドレイン-ソース間電圧Vds | 600V | |
| パッケージ型式 | PowerPAK | |
| シリーズ | E | |
| 取付タイプ | PCBマウント | |
| ピン数 | 4 | |
| 最大ドレイン-ソース間抵抗Rds | 0.084Ω | |
| チャンネルモード | エンハンスメント型 | |
| 標準ゲートチャージ Qg @ Vgs | 42nC | |
| 動作温度 Min | -55°C | |
| 最大許容損失Pd | 500W | |
| 最大ゲートソース電圧Vgs | 30V | |
| 順方向電圧 Vf | 1.2V | |
| 動作温度 Max | 150°C | |
| 幅 | 7.9mm | |
| 長さ | 8mm | |
| 規格 / 承認 | RoHS | |
| 自動車規格 | なし | |
| すべて選択 | ||
|---|---|---|
ブランド Vishay | ||
プロダクトタイプ パワーMOSFET | ||
チャンネルタイプ N | ||
最大連続ドレイン電流Id 51A | ||
最大ドレイン-ソース間電圧Vds 600V | ||
パッケージ型式 PowerPAK | ||
シリーズ E | ||
取付タイプ PCBマウント | ||
ピン数 4 | ||
最大ドレイン-ソース間抵抗Rds 0.084Ω | ||
チャンネルモード エンハンスメント型 | ||
標準ゲートチャージ Qg @ Vgs 42nC | ||
動作温度 Min -55°C | ||
最大許容損失Pd 500W | ||
最大ゲートソース電圧Vgs 30V | ||
順方向電圧 Vf 1.2V | ||
動作温度 Max 150°C | ||
幅 7.9mm | ||
長さ 8mm | ||
規格 / 承認 RoHS | ||
自動車規格 なし | ||
- COO（原産国）:
- CN
VishayシリーズEパワーMOSFET、ドレインソース電圧600 V、ドレイン電流51 A - SIHM080N60E-T1-GE3
このパワーMOSFETは、産業用電子機器の電力変換および制御用途向けの高電圧スイッチングデバイスです。プリント基板実装アセンブリで動作しながら、高ドレイン-ソース間電圧に対応するように設計されたエンハンスメントモードNチャンネルトランジスタとして機能します。その構造は、要求の厳しい熱環境や標準的な製造プロセスに適しています。
特長：
• 高電圧スイッチング用途向けの600 V定格 • 51 Aの連続ドレイン電流により、大きな負荷処理を実現 • 0.084 Ω Rds(on)で導通損失を低減 • 42 nC標準ゲート充電により、ゲートドライブのサイズを予測可能 • 500 Wの消費電力により、高い電力処理能力を実現 • 最大動作温度150 °Cで高温耐性を実現
用途
• 産業オートメーションのスイッチング電源に最適 • 製造機器のモータドライブインバータステージに最適 • 配電における高電圧DC-DCコンバータに使用 • テストリグのハードスイッチトポロジに使用可能 • 再生可能エネルギーインバータの中間回路に最適
回路実装にはどのような取り付けスタイルが必要ですか?
4ピンのPowerPAKパッケージを使用して基板実装用に設計されており、熱接続と電気接続を容易にします。
ゲートドライブ電圧の選択方法
ゲートドライブの振幅は±30 Vのゲートソース制限を超えてはならず、損失を制御するためにスイッチング速度と42 nCのゲート電荷のバランスを取るために選択する必要があります。
動作可能な周囲温度範囲は？
このデバイスは、-55 °Cおよび最大150 °Cのジャンクション温度までの動作をサポートし、幅広い環境条件での使用が可能です。
このパッケージは、熱管理にどのように役立ちますか?
PowerPAKフォームファクタは、基板へのコンパクトな熱経路を提供し、適切な基板レベルの冷却戦略で最大500 Wの指定された電力を消散させるのに役立ちます。
関連ページ
- Vishay パワーMOSFET 600 V 0.084 Ω 4ピン, パッケージ：PowerPAK
- Vishay パワーMOSFET 600 V 0.084 Ω 8ピン, パッケージ：8x8LR
- Vishay パワーMOSFET 650 V 70 mΩ 4ピン, パッケージ：PowerPAK
- Vishay パワーMOSFET 650 V 0.056 Ω 8ピン, パッケージ：PowerPAK 10 x 12
- Vishay パワーMOSFET 650 V 0.084 Ω 3ピン, パッケージ：TO-247AC
- Vishay パワーMOSFET 650 V 80 mΩ 3ピン, パッケージ：JEDEC TO-220AB
- Vishay パワーMOSFET 60 V 1 Ω 8ピン, パッケージ：PowerPAK
- Vishay パワーMOSFET 600 V 0.108 Ω 8ピン, パッケージ：PowerPAK