Vishay MOSFET, デュアルNチャンネル 60 V, 23.5 A エンハンスメント型, 表面, 8-Pin パッケージSO-8L, SQJ968EP-T1_BE3
- RS品番:
- 736-655
- メーカー型番:
- SQJ968EP-T1_BE3
- メーカー/ブランド名:
- Vishay
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- RS品番:
- 736-655
- メーカー型番:
- SQJ968EP-T1_BE3
- メーカー/ブランド名:
- Vishay
仕様
データシート
その他
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すべて選択 | 製品情報 | 内容 |
|---|---|---|
| ブランド | Vishay | |
| チャンネルタイプ | デュアルN | |
| プロダクトタイプ | MOSFET | |
| 最大連続ドレイン電流Id | 23.5A | |
| 最大ドレイン-ソース間電圧Vds | 60V | |
| シリーズ | TrenchFET | |
| パッケージ型式 | SO-8L | |
| 取付タイプ | 表面 | |
| ピン数 | 8 | |
| 最大ドレイン-ソース間抵抗Rds | 0.134Ω | |
| チャンネルモード | エンハンスメント型 | |
| 最大ゲートソース電圧Vgs | 20V | |
| 動作温度 Min | -55°C | |
| 最大許容損失Pd | 42W | |
| 標準ゲートチャージ Qg @ Vgs | 18.5nC | |
| 順方向電圧 Vf | 1.1V | |
| 動作温度 Max | 175°C | |
| 長さ | 5.13mm | |
| 高さ | 1.07mm | |
| 規格 / 承認 | RoHS | |
| 幅 | 6.15mm | |
| 自動車規格 | AEC-Q101 | |
| すべて選択 | ||
|---|---|---|
ブランド Vishay | ||
チャンネルタイプ デュアルN | ||
プロダクトタイプ MOSFET | ||
最大連続ドレイン電流Id 23.5A | ||
最大ドレイン-ソース間電圧Vds 60V | ||
シリーズ TrenchFET | ||
パッケージ型式 SO-8L | ||
取付タイプ 表面 | ||
ピン数 8 | ||
最大ドレイン-ソース間抵抗Rds 0.134Ω | ||
チャンネルモード エンハンスメント型 | ||
最大ゲートソース電圧Vgs 20V | ||
動作温度 Min -55°C | ||
最大許容損失Pd 42W | ||
標準ゲートチャージ Qg @ Vgs 18.5nC | ||
順方向電圧 Vf 1.1V | ||
動作温度 Max 175°C | ||
長さ 5.13mm | ||
高さ 1.07mm | ||
規格 / 承認 RoHS | ||
幅 6.15mm | ||
自動車規格 AEC-Q101 | ||
- COO（原産国）:
- DE
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