Vishay MOSFET, デュアルNチャンネル 60 V, 23.5 A エンハンスメント型, 表面実装, 8-Pin パッケージSO-8L, SQJ968EP-T1_BE3

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RS品番:
736-655
メーカー型番:
SQJ968EP-T1_BE3
メーカー/ブランド名:
Vishay
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ブランド

Vishay

チャンネルタイプ

デュアルN

プロダクトタイプ

MOSFET

最大連続ドレイン電流Id

23.5A

最大ドレイン-ソース間電圧Vds

60V

パッケージ型式

SO-8L

シリーズ

TrenchFET

取付タイプ

表面実装

ピン数

8

最大ドレイン-ソース間抵抗Rds

0.134Ω

チャンネルモード

エンハンスメント型

順方向電圧 Vf

1.1V

最大ゲートソース電圧Vgs

20V

動作温度 Min

-55°C

最大許容損失Pd

42W

標準ゲートチャージ Qg @ Vgs

18.5nC

動作温度 Max

175°C

幅

6.15mm

規格 / 承認

RoHS

高さ

1.07mm

長さ

5.13mm

自動車規格

AEC-Q101

COO（原産国）:
DE

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