Infineon MOSFET, タイプNチャンネル 550 V, 4.8 A エンハンスメント型, 表面, 4-Pin パッケージSOT-223

MOSFET・モスフェット の一覧へ
ボリュームディスカウント対象商品

1 リール(1リール3000個入り) 小計：*

￥85,800.00

(税抜)

￥94,380.00

(税込)

Add to Basket
数量を選択または入力
一時的に在庫切れ
  • 本日発注の場合は 2026年5月29日 に入荷予定
「配達日を確認」をクリックすると、在庫と配送の詳細が表示されます。
個
単価
購入単位毎合計*
3000 - 12000￥28.60￥85,800
15000 - 27000￥28.079￥84,237
30000 - 72000￥27.291￥81,873
75000 - 147000￥26.481￥79,443
150000 +￥25.692￥77,076

* 表示は参考価格です。ご購入数量によって価格は変動します。なお、上記数量を大きく超える大量ご購入の際は右下チャットからお問合せください。

RS品番:
168-5922
メーカー型番:
IPN50R1K4CEATMA1
メーカー/ブランド名:
インフィニオン
製品情報（複数選択可）を選択して、類似製品を検索します。
すべて選択

ブランド

インフィニオン

チャンネルタイプ

タイプN

プロダクトタイプ

MOSFET

最大連続ドレイン電流Id

4.8A

最大ドレイン-ソース間電圧Vds

550V

パッケージ型式

SOT-223

シリーズ

CoolMOS CE

取付タイプ

表面

ピン数

4

最大ドレイン-ソース間抵抗Rds

1.4Ω

チャンネルモード

エンハンスメント型

最大ゲートソース電圧Vgs

30 V

最大許容損失Pd

5W

動作温度 Min

-40°C

順方向電圧 Vf

0.83V

標準ゲートチャージ Qg @ Vgs

8.2nC

動作温度 Max

150°C

規格 / 承認

No

長さ

6.7mm

幅

3.7 mm

高さ

1.7mm

自動車規格

なし

COO（原産国）:
CN

Infineon CoolMOS™ CEパワーMOSFET


MOSFETトランジスタ、Infineon


Infineonでは、CoolMOS、OptiMOS、StrongIRFETの各ファミリをはじめ、MOSFETデバイスの幅広く包括的な製品ラインを取り揃えています。効率、電力密度、及びコスト効果を高めるためにクラス最高の性能を実現しています。高い品質と強化された保護機能が求められる設計では、AEC-Q101車載用規格に適合するMOSFETが活用されます。

受注確定後にお客様専用製品として商品化されるため、発注後のキャンセル・返品はお受けできません。

関連ページ