Infineon MOSFET, タイプNチャンネル 200 V, 24 A エンハンスメント型, 表面, 3-Pin パッケージTO-252
- RS品番:
- 165-8030
- メーカー型番:
- IRFR4620TRLPBF
- メーカー/ブランド名:
- インフィニオン
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|---|---|---|
| 3000 - 3000 | ￥115.92 | ￥347,760 |
| 6000 - 27000 | ￥112.699 | ￥338,097 |
| 30000 - 42000 | ￥109.479 | ￥328,437 |
| 45000 - 57000 | ￥106.259 | ￥318,777 |
| 60000 + | ￥103.039 | ￥309,117 |
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- RS品番:
- 165-8030
- メーカー型番:
- IRFR4620TRLPBF
- メーカー/ブランド名:
- インフィニオン
仕様
データシート
その他
詳細情報
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すべて選択 | 製品情報 | 内容 |
|---|---|---|
| ブランド | インフィニオン | |
| プロダクトタイプ | MOSFET | |
| チャンネルタイプ | タイプN | |
| 最大連続ドレイン電流Id | 24A | |
| 最大ドレイン-ソース間電圧Vds | 200V | |
| シリーズ | HEXFET | |
| パッケージ型式 | TO-252 | |
| 取付タイプ | 表面 | |
| ピン数 | 3 | |
| 最大ドレイン-ソース間抵抗Rds | 78mΩ | |
| チャンネルモード | エンハンスメント型 | |
| 最大許容損失Pd | 144W | |
| 標準ゲートチャージ Qg @ Vgs | 25nC | |
| 最大ゲートソース電圧Vgs | 20 V | |
| 動作温度 Min | -55°C | |
| 順方向電圧 Vf | 1.3V | |
| 動作温度 Max | 175°C | |
| 規格 / 承認 | No | |
| 高さ | 2.39mm | |
| 長さ | 6.73mm | |
| 幅 | 7.49 mm | |
| 自動車規格 | なし | |
| すべて選択 | ||
|---|---|---|
ブランド インフィニオン | ||
プロダクトタイプ MOSFET | ||
チャンネルタイプ タイプN | ||
最大連続ドレイン電流Id 24A | ||
最大ドレイン-ソース間電圧Vds 200V | ||
シリーズ HEXFET | ||
パッケージ型式 TO-252 | ||
取付タイプ 表面 | ||
ピン数 3 | ||
最大ドレイン-ソース間抵抗Rds 78mΩ | ||
チャンネルモード エンハンスメント型 | ||
最大許容損失Pd 144W | ||
標準ゲートチャージ Qg @ Vgs 25nC | ||
最大ゲートソース電圧Vgs 20 V | ||
動作温度 Min -55°C | ||
順方向電圧 Vf 1.3V | ||
動作温度 Max 175°C | ||
規格 / 承認 No | ||
高さ 2.39mm | ||
長さ 6.73mm | ||
幅 7.49 mm | ||
自動車規格 なし | ||
- COO（原産国）:
- CN
NチャンネルパワーMOSFET 150 → 600 V、Infineon
InfineonのディスクリートHEXFET®パワーMOSFET製品には、リード付き表面実装パッケージに収容されたNチャンネルデバイス、及びほぼすべてのボードレイアウトや熱設計課題に対応できるフォームファクタが含まれています。 レンジ全体にわたる抵抗のベンチマークにより、導電損失が低下するので、最適なシステム効率を発揮できます。
MOSFETトランジスタ、Infineon
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