Vishay パワーMOSFET, Nチャンネル, 600 V, 9.2 A, 750 mΩ, 49 nC, 3ピン, パッケージ：TO-263
- RS品番:
- 542-9995
- メーカー型番:
- IRFS9N60APBF
- メーカー/ブランド名:
- Vishay
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- RS品番:
- 542-9995
- メーカー型番:
- IRFS9N60APBF
- メーカー/ブランド名:
- Vishay
仕様
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すべて選択 | 製品情報 | 内容 |
|---|---|---|
| ブランド | Vishay | |
| プロダクトタイプ | パワーMOSFET | |
| チャンネルタイプ | N | |
| 最大連続ドレイン電流Id | 9.2A | |
| 最大ドレイン-ソース間電圧Vds | 600V | |
| パッケージ型式 | TO-263 | |
| シリーズ | IRFS9N60A | |
| 取付タイプ | 表面 | |
| ピン数 | 3 | |
| 最大ドレイン-ソース間抵抗Rds | 750mΩ | |
| チャンネルモード | エンハンスメント型 | |
| 動作温度 Min | -55°C | |
| 最大許容損失Pd | 170W | |
| 標準ゲートチャージ Qg @ Vgs | 49nC | |
| 最大ゲートソース電圧Vgs | -30V, +30V | |
| 順方向電圧 Vf | 1.5V | |
| 動作温度 Max | 150°C | |
| 規格 / 承認 | RoHS | |
| 幅 | 9.65mm | |
| 長さ | 10.67mm | |
| 高さ | 4.83mm | |
| 自動車規格 | なし | |
| すべて選択 | ||
|---|---|---|
ブランド Vishay | ||
プロダクトタイプ パワーMOSFET | ||
チャンネルタイプ N | ||
最大連続ドレイン電流Id 9.2A | ||
最大ドレイン-ソース間電圧Vds 600V | ||
パッケージ型式 TO-263 | ||
シリーズ IRFS9N60A | ||
取付タイプ 表面 | ||
ピン数 3 | ||
最大ドレイン-ソース間抵抗Rds 750mΩ | ||
チャンネルモード エンハンスメント型 | ||
動作温度 Min -55°C | ||
最大許容損失Pd 170W | ||
標準ゲートチャージ Qg @ Vgs 49nC | ||
最大ゲートソース電圧Vgs -30V, +30V | ||
順方向電圧 Vf 1.5V | ||
動作温度 Max 150°C | ||
規格 / 承認 RoHS | ||
幅 9.65mm | ||
長さ 10.67mm | ||
高さ 4.83mm | ||
自動車規格 なし | ||
Vishay IRFS9N60AシリーズパワーMOSFET、ドレインソース電圧600V、連続ドレイン電流9.2A - IRFS9N60APBF
このパワーMOSFETは、高電圧Nチャンネルスイッチングトランジスタで、堅牢な熱性能と電気性能が求められる表面実装用途向けに設計されています。広い周囲範囲で動作し、電流処理と電圧耐久性の組み合わせを必要とする電力変換、スイッチング、高電圧回路での使用を目的としています。
特長：
• 600V ドレイン定格により、高電圧スイッチングが可能
• 9.2Aの連続電流容量により、中程度の負荷に対応
• 750mΩ のRds(on)により、動作時の導通損失を低減
• 170Wの最大消費電力により、大幅なパワースループットを実現
• 49nCの標準ゲート充電により、スイッチングダイナミクスを最適化
• 30Vのゲートしきい値により、一般的なゲートドライブ電圧を実現
• 9.2Aの連続電流容量により、中程度の負荷に対応
• 750mΩ のRds(on)により、動作時の導通損失を低減
• 170Wの最大消費電力により、大幅なパワースループットを実現
• 49nCの標準ゲート充電により、スイッチングダイナミクスを最適化
• 30Vのゲートしきい値により、一般的なゲートドライブ電圧を実現
用途
• オフラインスイッチング電源に最適
• 高電圧モーター駆動ステージに最適
• インバータおよび再生可能エネルギーコンバータに使用
• 産業用電源コントローラに使用可能
• 高電圧照明バラスト設計に最適
• 高電圧モーター駆動ステージに最適
• インバータおよび再生可能エネルギーコンバータに使用
• 産業用電源コントローラに使用可能
• 高電圧照明バラスト設計に最適
動作時に許容できる温度範囲の上限と下限はどのくらいですか？
このデバイスは、-55°C～150°Cで動作するように設計されており、幅広い熱環境で使用できます。
このコンポーネントは、基板への取り付け用にどのようにパッケージされていますか?
表面実装用のTO-263パッケージで提供され、放熱や自動組立を容易にします。
どのようなゲートドライブの電圧制限を遵守する必要がありますか?
最大ゲート-ソース間電圧は30 Vで、ゲート酸化物の損傷を防ぐために超えてはなりません。
このデバイスは、エンハンスメントモードまたはデプレッションモードを使用しますか?
強化モードNチャンネルMOSFETで、伝導にはソースに対して正のゲートドライブが必要です。
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