onsemi MOSFET 表面実装 パッケージTSOT-23 6 ピン

この N チャンネル 100 V MOSFET は、 Advanced PowerTrench プロセスを使用して生産され、特にオン状態の抵抗を最小限に抑えながら、低ゲート電荷を維持し、優れたスイッチング性能を発揮します。これらのデバイスは、より高価な SO-8 及び TSSOP-8 パッケージが実用的でない用途向けに、非常に小さなフットプリントで卓越した電力損失を実現するように設計されています。

1.0 A 、 100 V
RDS （ ON ） = 500 m Ω @ VGS = 10 V
RDS （ ON ） = 550 m Ω @ VGS = 6 V
低ゲート電荷量（標準 3.7 nC ）
高速スイッチング速度
超低 RDS （ ON ）に対応する高性能トレンチ技術
SuperSOT ™ -6 パッケージ : 省スペース 72% ( 標準 SO-8 より小型 ) 、低プロファイル ( 厚さ 1mm )
用途
この製品は汎用で、さまざまな用途に適しています。

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