Vishay MOSFET, タイプNチャンネル 800 V, 17.4 A エンハンスメント型, スルーホール, 3-Pin パッケージTO-247, SIHW21N80AE-GE3

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梱包形態
RS品番:
188-5016
メーカー型番:
SIHW21N80AE-GE3
メーカー/ブランド名:
Vishay
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ブランド

Vishay

プロダクトタイプ

MOSFET

チャンネルタイプ

タイプN

最大連続ドレイン電流Id

17.4A

最大ドレイン-ソース間電圧Vds

800V

パッケージ型式

TO-247

シリーズ

SiHW21N80AE

取付タイプ

スルーホール

ピン数

3

最大ドレイン-ソース間抵抗Rds

235mΩ

チャンネルモード

エンハンスメント型

最大許容損失Pd

32W

動作温度 Min

-55°C

最大ゲートソース電圧Vgs

30 V

標準ゲートチャージ Qg @ Vgs

48nC

順方向電圧 Vf

1.2V

動作温度 Max

150°C

長さ

16.26mm

規格 / 承認

No

高さ

21.46mm

幅

5.31 mm

自動車規格

なし

E シリーズパワー MOSFET です。

低性能指数(FOM): Ron x Qg

低実効静電容量（ Co （ er ））

スイッチング損失及び導電損失を低減

用途

サーバー / 通信用の電源

スイッチモード電源(SMPS)

力率補正電源(PFC)

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