Vishay MOSFET, Nチャンネル, 850 V, 5 A, 950 mΩ, 22.5 nC, 3ピン, パッケージ：TO-251

MOSFET・モスフェット の一覧へ
ボリュームディスカウント対象商品
一括購入価格オプションを表示

1 リール(1リール3000個入り) 小計：*

￥351,657

(税抜)

￥386,823

(税込)

Add to Basket
数量を選択または入力
在庫情報に現在アクセスできません - 後ほどご確認ください

個
単価
購入単位毎合計*
3000 - 3000￥117.219￥351,657
6000 - 27000￥114.36￥343,080
30000 - 42000￥112.982￥338,946
45000 - 57000￥111.637￥334,911
60000 +￥110.323￥330,969

* 表示は参考価格です。ご購入数量によって価格は変動します。なお、上記数量を大きく超える大量ご購入の際は右下チャットからお問合せください。

RS品番:
200-6868
メーカー型番:
SIHU6N80AE-GE3
メーカー/ブランド名:
Vishay
製品情報（複数選択可）を選択して、類似製品を検索します。
すべて選択

ブランド

Vishay

プロダクトタイプ

MOSFET

チャンネルタイプ

N

最大連続ドレイン電流Id

5A

最大ドレイン-ソース間電圧Vds

850V

シリーズ

E

パッケージ型式

TO-251

取付タイプ

スルーホール

ピン数

3

最大ドレイン-ソース間抵抗Rds

950mΩ

チャンネルモード

エンハンスメント型

最大許容損失Pd

62.5W

最大ゲートソース電圧Vgs

30V

順方向電圧 Vf

1.2V

動作温度 Min

-55°C

標準ゲートチャージ Qg @ Vgs

22.5nC

動作温度 Max

150°C

規格 / 承認

No

自動車規格

なし

Vishay SIHU6N80AE-GE3 は E シリーズのパワー MOSFET です。

低性能指数

低実効静電容量（ CISS ）

スイッチング損失及び導電損失を低減

超低ゲート電荷(Qg)

アバランシェエネルギー定格（ UIS ）

ツェナーダイオード ESD 保護機能を内蔵しています

関連ページ