Vishay MOSFET, Nチャンネル, 850 V, 5 A, 950 mΩ, 22.5 nC, 3ピン, パッケージ:TO-251

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RS品番:
200-6868
メーカー型番:
SIHU6N80AE-GE3
メーカー/ブランド名:
Vishay
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ブランド

Vishay

プロダクトタイプ

MOSFET

チャンネルタイプ

N

最大連続ドレイン電流Id

5A

最大ドレイン-ソース間電圧Vds

850V

シリーズ

E

パッケージ型式

TO-251

取付タイプ

スルーホール

ピン数

3

最大ドレイン-ソース間抵抗Rds

950mΩ

チャンネルモード

エンハンスメント型

最大ゲートソース電圧Vgs

30V

動作温度 Min

-55°C

標準ゲートチャージ Qg @ Vgs

22.5nC

最大許容損失Pd

62.5W

順方向電圧 Vf

1.2V

動作温度 Max

150°C

規格 / 承認

No

自動車規格

なし

Vishay SIHU6N80AE-GE3 は E シリーズのパワー MOSFET です。

低性能指数

低実効静電容量( CISS )

スイッチング損失及び導電損失を低減

超低ゲート電荷(Qg)

アバランシェエネルギー定格( UIS )

ツェナーダイオード ESD 保護機能を内蔵しています

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