Infineon MOSFETおよびダイオード, Nチャンネル, 100 V, 170 A, 3.3 mΩ, 3ピン, パッケージ：TO-263
- RS品番:
- 220-7379
- メーカー型番:
- IPB033N10N5LFATMA1
- メーカー/ブランド名:
- インフィニオン
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- RS品番:
- 220-7379
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- IPB033N10N5LFATMA1
- メーカー/ブランド名:
- インフィニオン
仕様
データシート
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詳細情報
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すべて選択 | 製品情報 | 内容 |
|---|---|---|
| ブランド | インフィニオン | |
| プロダクトタイプ | MOSFETおよびダイオード | |
| チャンネルタイプ | N | |
| 最大連続ドレイン電流Id | 170A | |
| 最大ドレイン-ソース間電圧Vds | 100V | |
| パッケージ型式 | TO-263 | |
| シリーズ | OptiMOS 5 | |
| 取付タイプ | 表面 | |
| ピン数 | 3 | |
| 最大ドレイン-ソース間抵抗Rds | 3.3mΩ | |
| チャンネルモード | エンハンスメント型 | |
| 順方向電圧 Vf | 1.2V | |
| 最大許容損失Pd | 179W | |
| 動作温度 Min | -55°C | |
| 最大ゲートソース電圧Vgs | 20V | |
| 動作温度 Max | +150°C | |
| 規格 / 承認 | No | |
| 自動車規格 | なし | |
| すべて選択 | ||
|---|---|---|
ブランド インフィニオン | ||
プロダクトタイプ MOSFETおよびダイオード | ||
チャンネルタイプ N | ||
最大連続ドレイン電流Id 170A | ||
最大ドレイン-ソース間電圧Vds 100V | ||
パッケージ型式 TO-263 | ||
シリーズ OptiMOS 5 | ||
取付タイプ 表面 | ||
ピン数 3 | ||
最大ドレイン-ソース間抵抗Rds 3.3mΩ | ||
チャンネルモード エンハンスメント型 | ||
順方向電圧 Vf 1.2V | ||
最大許容損失Pd 179W | ||
動作温度 Min -55°C | ||
最大ゲートソース電圧Vgs 20V | ||
動作温度 Max +150°C | ||
規格 / 承認 No | ||
自動車規格 なし | ||
Infineon OptiMOS 5シリーズMOSFET及びダイオード、最大ドレインソース電圧100 V、最大連続ドレイン電流170 A - IPB033N10N5LFATMA1
このMOSFETおよびダイオードは、要求の厳しい熱環境での高電流スイッチングを目的とした表面実装電源デバイスです。Nチャンネル強化デバイスと内蔵ダイオードをTO-263パッケージに組み合わせて、幅広い温度範囲での電力変換およびスイッチング作業に対応するコンパクトなソリューションを提供します。
特長：
• 100 V定格により、中電圧システムでの動作が可能
• 3.3 mΩ RDS(on)により、高負荷時の導通損失を低減
• 170Aの連続ドレイン電流により、高電流用途に対応
• 179 Wの消費電力により、持続的な高出力動作を実現
• 1.2 Vの順方向ダイオード電圧により、スイッチング損失を最小限に抑制
• 20 Vのゲート許容差により、柔軟なゲートドライブ電圧を実現
• 3.3 mΩ RDS(on)により、高負荷時の導通損失を低減
• 170Aの連続ドレイン電流により、高電流用途に対応
• 179 Wの消費電力により、持続的な高出力動作を実現
• 1.2 Vの順方向ダイオード電圧により、スイッチング損失を最小限に抑制
• 20 Vのゲート許容差により、柔軟なゲートドライブ電圧を実現
用途
• サーバー電源のプライマリスイッチングに最適
• コンバータの同期整流に最適
• モータドライブハーフブリッジステージに使用
• バッテリ管理の高電流経路に使用可能
• 低導通損失を必要とするDC-DCコンバータで使用
• コンバータの同期整流に最適
• モータドライブハーフブリッジステージに使用
• バッテリ管理の高電流経路に使用可能
• 低導通損失を必要とするDC-DCコンバータで使用
動作中にどのような周囲温度範囲に対応できますか?
-55°C～+150°Cで動作するように設計されています。
設計時にはどのようなパッケージと実装方式を想定する必要がありますか？
プリント基板アセンブリへの表面実装用のTO-263パッケージで提供されます。
このデバイスは、高電流熱設計にどのように適合しますか?
170 Aの連続定格電流と179 Wの最大消費電力の組み合わせにより、基板銅とサーマルパッドを介して大きな熱を管理する必要がある設計での使用が可能です。
どのようなゲートドライブの制限を遵守する必要がありますか?
ゲートソース電圧は20 Vを超えて安全な動作範囲内に保つ必要があります。
どのような伝導特性が電力損失の計算に影響しますか?
3.3 mΩの低ドレイン・ソース抵抗は、動作電流時の伝導損失を推定するための重要なパラメータです。
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