Infineon MOSFETおよびダイオード, タイプNチャンネル 100 V, 170 A エンハンスメント型, 表面, 3-Pin パッケージTO-263, IPB033N10N5LFATMA1

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メーカー型番:
IPB033N10N5LFATMA1
メーカー/ブランド名:
インフィニオン
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ブランド

インフィニオン

プロダクトタイプ

MOSFETおよびダイオード

チャンネルタイプ

タイプN

最大連続ドレイン電流Id

170A

最大ドレイン-ソース間電圧Vds

100V

パッケージ型式

TO-263

シリーズ

OptiMOS 5

取付タイプ

表面

ピン数

3

最大ドレイン-ソース間抵抗Rds

3.3mΩ

チャンネルモード

エンハンスメント型

規格 / 承認

No

自動車規格

なし

Infineon OptiMOS Linear FETは、オン抵抗(R DS(on))とリニアモード性能とのトレードオフを回避する革新的な方式、すなわちエンハンストモードMOSFETの飽和領域での動作を可能にします。トレンチ型MOSFETの最先端のR DS(on)と従来のプレーナ型MOSFETの広い安全動作領域を兼ね備えています。

低 R DS ( on )と広い安全動作領域( SOA )の組み合わせ

高い最大パルス電流

高い連続パルス電流

堅牢なリニアモード動作

低導電損失

突入電流が高いため、起動時間とダウンタイムの短縮を実現

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