Infineon MOSFETおよびダイオード, タイプNチャンネル 150 V, 105 A エンハンスメント型, 表面, 3-Pin パッケージTO-263

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RS品番:
220-7384
メーカー型番:
IPB083N15N5LFATMA1
メーカー/ブランド名:
インフィニオン
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ブランド

インフィニオン

チャンネルタイプ

タイプN

プロダクトタイプ

MOSFETおよびダイオード

最大連続ドレイン電流Id

105A

最大ドレイン-ソース間電圧Vds

150V

シリーズ

OptiMOS 5

パッケージ型式

TO-263

取付タイプ

表面

ピン数

3

最大ドレイン-ソース間抵抗Rds

8.3mΩ

チャンネルモード

エンハンスメント型

規格 / 承認

No

自動車規格

なし

Infineon OptiMOS Linear FETは、オン抵抗（R DS(on)）とリニアモード性能とのトレードオフを回避する革新的な方式、すなわちエンハンストモードMOSFETの飽和領域での動作を可能にします。トレンチ型MOSFETの最先端のR DS(on)と従来のプレーナ型MOSFETの広い安全動作領域を兼ね備えています。

低 R DS （ on ）と広い安全動作領域（ SOA ）の組み合わせ

高い最大パルス電流

高い連続パルス電流

堅牢なリニアモード動作

低導電損失

突入電流が高いため、起動時間とダウンタイムの短縮を実現

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