Infineon MOSFET, Nチャンネル, 100 V, 273 A, 1.7 mΩ, 80 nC, 3ピン, パッケージ：TO-263
- RS品番:
- 242-5820
- メーカー型番:
- IPB048N15N5LFATMA1
- メーカー/ブランド名:
- インフィニオン
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- RS品番:
- 242-5820
- メーカー型番:
- IPB048N15N5LFATMA1
- メーカー/ブランド名:
- インフィニオン
仕様
データシート
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すべて選択 | 製品情報 | 内容 |
|---|---|---|
| ブランド | インフィニオン | |
| プロダクトタイプ | MOSFET | |
| チャンネルタイプ | N | |
| 最大連続ドレイン電流Id | 273A | |
| 最大ドレイン-ソース間電圧Vds | 100V | |
| シリーズ | iPB | |
| パッケージ型式 | TO-263 | |
| 取付タイプ | 表面 | |
| ピン数 | 3 | |
| 最大ドレイン-ソース間抵抗Rds | 1.7mΩ | |
| チャンネルモード | N | |
| 最大ゲートソース電圧Vgs | 20V | |
| 動作温度 Min | -55°C | |
| 最大許容損失Pd | 81W | |
| 標準ゲートチャージ Qg @ Vgs | 80nC | |
| 順方向電圧 Vf | 1.2V | |
| 動作温度 Max | +150°C | |
| 規格 / 承認 | RoHS | |
| 自動車規格 | なし | |
| すべて選択 | ||
|---|---|---|
ブランド インフィニオン | ||
プロダクトタイプ MOSFET | ||
チャンネルタイプ N | ||
最大連続ドレイン電流Id 273A | ||
最大ドレイン-ソース間電圧Vds 100V | ||
シリーズ iPB | ||
パッケージ型式 TO-263 | ||
取付タイプ 表面 | ||
ピン数 3 | ||
最大ドレイン-ソース間抵抗Rds 1.7mΩ | ||
チャンネルモード N | ||
最大ゲートソース電圧Vgs 20V | ||
動作温度 Min -55°C | ||
最大許容損失Pd 81W | ||
標準ゲートチャージ Qg @ Vgs 80nC | ||
順方向電圧 Vf 1.2V | ||
動作温度 Max +150°C | ||
規格 / 承認 RoHS | ||
自動車規格 なし | ||
Infineon iPBシリーズMOSFET、最大ドレインソース電圧100V、最大連続ドレイン電流273A - IPB048N15N5LFATMA1
このNチャンネルMOSFETは、堅牢な熱性能と電気性能が求められる高電流・高電圧用途向けに設計されたパワースイッチングデバイスです。広い周囲環境範囲で動作し、熱管理プリント基板に適した表面実装TO-263パッケージで提供されます。このデバイスはRoHS準拠で、大幅な連続ドレイン能力と制御されたゲートドライブを必要とするシステム向けです。
特長：
• 100Vドレイン・ソース耐性により、高電圧スイッチングを実現
• 273Aの連続ドレイン電流により、高負荷処理を実現
• 1.7mΩの低Rds(on)により、導通損失を低減
• 81Wの消費電力により、高出力動作をサポート
• 80nCの総ゲート電荷により、予測可能なスイッチングエネルギーを実現
• ダイオード伝導降下を最小限に抑える1.2V順方向電圧
• 273Aの連続ドレイン電流により、高負荷処理を実現
• 1.7mΩの低Rds(on)により、導通損失を低減
• 81Wの消費電力により、高出力動作をサポート
• 80nCの総ゲート電荷により、予測可能なスイッチングエネルギーを実現
• ダイオード伝導降下を最小限に抑える1.2V順方向電圧
用途
• 高電流電源およびコンバータに最適
• 大電流を必要とするモータードライブステージに最適
• サーバー配電およびバススイッチングに使用
• 通信整流器およびインバータに使用可能
• 過酷な温度下での産業用スイッチングに最適
• 大電流を必要とするモータードライブステージに最適
• サーバー配電およびバススイッチングに使用
• 通信整流器およびインバータに使用可能
• 過酷な温度下での産業用スイッチングに最適
安全な動作のために、どのようなゲート電圧制限を遵守する必要がありますか?
ゲートの損傷を防止するため、ゲートは20V Vgsの制限を超えないでください。
過酷な熱環境に対してどのように耐えることができますか?
-55°C～+150°Cで動作し、幅広い温度範囲で使用できます。
実装にはどのような取付方式が必要ですか？
このデバイスは、TO-263フットプリントで表面実装を目的としています。
設計者は本質ダイオードに対してどのような導通動作を期待できますか?
ダイオード関連の電流フローにおいて、順方向伝導特性は1.2V Vfとして指定されています。
このデバイスは、回路統合においてどのようなチャンネル極性を備えていますか?
従来のハイサイドスイッチングまたはローサイドスイッチングにNチャンネル構成を採用しています。
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